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투명 전극을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169826
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 투명 전극; 및 상기 투명 전극 표면에 위치하는 나노 구조물을 포함하고, 상기 나노 구조물의 적어도 일부분은 상기 투명 전극에 묻힌다. 이에 따라, 광 추출 효율이 개선된 발광 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020130052524 (2013.05.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사, 주식회사 글로우원
등록번호/일자 10-2091837-0000 (2020.03.16)
공개번호/일자 10-2014-0133662 (2014.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20200323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 주식회사 글로우원 대한민국 경기도 화성시 삼

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유철종 대한민국 부산 연제구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 글로우원 경기도 화성시 삼
2 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구
3 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0410998-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5192898-06
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0440889-84
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0051649-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5078152-27
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0321434-03
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0662887-78
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0662867-65
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0771275-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.11.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1212956-77
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-1212938-55
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
21 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0902416-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 포함하는 반도체 적층 구조체를 형성하고;상기 반도체 적층 구조체 상에 투명 전극을 형성하고;상기 투명 전극 표면에 나노 구조물을 형성하는 것을 포함하되,상기 나노 구조물을 형성하는 것은,상기 투명 전극을 그 표면으로부터 소정 두께로 식각하고,상기 투명 전극을 유기물 수용액에 침지시켜, 나노 구조물을 형성하는 것을 포함하고,상기 나노 구조물의 적어도 일부분은 상기 투명 전극에 묻힌 발광 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 투명 전극은 ITO를 포함하는 발광 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 투명 전극을 소정 두께로 식각하는 것은, 집속 이온빔(FIB)을 이용하여 식각하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 집속 이온빔의 조사 에너지는 1 내지 8KeV이고, 상기 소정 두께는 5nm 이하인 발광 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 유기물 수용액은 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine)을 포함하는 발광 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 나노 구조물은 모서리를 갖고, 상기 모서리의 길이는 300nm 이하인 발광 소자 제조 방법
14 14
청구항 12에 있어서,상기 나노 구조물은 복수 개로 형성되며,상기 복수의 나노 구조물은 상기 투명 전극 표면에 무작위로 배열되도록 형성되는 발광 소자 제조 방법
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청구항 14에 있어서,상기 복수의 나노 구조물 중 적어도 일부는 육면체 형태로 형성되는 발광 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 유기물 수용액에서 헥사메틸렌테트라민의 농도는 0
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청구항 12에 있어서,상기 투명 전극은 상기 유기물 수용액에 90 내지 200 ℃의 온도에서 5 내지 24 시간 동안 침지되는 발광 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 나노 구조물은 In2O3를 포함하는 발광 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 반도체 적층 구조체를 부분적으로 식각하여 메사를 형성하고, 상기 제1 도전형 반도체층을 부분적으로 노출시키는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
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청구항 19에 있어서,상기 나노 구조물을 형성하기 전에, 상기 메사의 측면을 덮는 마스크를 형성하는 것을 더 포함하고,상기 투명 전극은 상기 메사 상에 적어도 부분적으로 형성되는 발광 소자 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.