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제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 구조체;상기 반도체 구조체 상에 배치된 투명 전극;상기 투명 전극 상에 배치된 고분자층; 및상기 고분자층에 그 일부가 묻힌 복수개의 광추출 요소를 포함하고,상기 복수개의 광추출 요소들의 적어도 일부는 서로 이격된 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 고분자층은 폴리스티렌, 폴리에틸렌 또는 아크릴 수지를 포함하는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 광추출 요소는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, PMMA, 알루미나, 실리카 또는 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 투명 전극은 ITO, ZnO, AZO 또는 IZO를 포함하는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 광추출 요소는 그 직경이 0
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청구항 1에 있어서,상기 고분자층 및 상기 광추출 요소는 각각 1 내지 1
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청구항 6에 있어서,상기 고분자층의 굴절률은 상기 광추출 요소의 굴절률 보다 높은 발광 다이오드 소자
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청구항 6에 있어서,상기 고분자층은 1
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9
청구항 1에 있어서,상기 광추출 요소들은 상기 고분자층 내에 1/2 이상 또는 1/2 미만 묻힌 발광 다이오드 소자
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기판 상에 적어도 활성층을 포함하는 복수의 반도체층들을 형성하는 단계;상기 반도체층들 상에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 상에 고분자층을 형성하는 단계;상기 고분자층 상에 복수의 광추출 요소를 배치하는 단계;상기 광추출 요소를 가압하는 단계; 및상기 고분자층을 경화시키는 단계를 포함하되,상기 광추출 요소를 가압하는 단계에 있어서, 상기 광추출 요소들은 상기 고분자층 내에 그 일부가 묻히는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 기판 상에 적어도 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 고분자층을 경화시키는 단계는 UV 경화처리 또는 열처리를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 투명 전극 상에 고분자층을 형성하는 단계는 스핀 코팅(spin coating) 방법 또는 드로핑(dropping) 방법을 이용하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 광추출 요소를 가압하는 단계는 임프린트(imprint) 공정 또는 프레스(press) 공정을 이용하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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