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일체형 전도성 기판을 제조하는 단계; 상기 일체형 전도성 기판 상부에 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 상부에 정공추출층을 형성하는 단계;상기 정공추출층 상부에 투명 양극층을 형성하는 단계; 및상기 투명 양극층 상부에 광학조절층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 일체형 전도성 기판은 금속층 상부에 스프레이 열분해법(spray pyrolysis)으로 전자추출층을 형성하는 것에 의해 제조되고,상기 스프레이 열분해법(spray pyrolysis)을 이용하여 전자추출층을 형성하는 단계는, i) 상기 금속층 상부에 반도체 물질의 전구체와 용매를 혼합한 혼합물을 스프레이(spray)법으로 도포하는 단계 및 ii) 상기 혼합물 도포 후 100~450℃, 0
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제 1항에 있어서,상기 반도체 물질은 TiOx(x=1, 2, 3), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화구리(Copper(II) Oxide), 산화구리알루미늄(Copper Aluminium Oxide), 산화아연로듐 (Zinc Rhodium Oxide), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide) 및 ZrO2로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상인 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 용매는 극성 또는 비극성 용매인 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 광흡수층 및 투명 양극층은 용액 공정 또는 진공 증착의 방법으로 형성하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판 및 광흡수층 사이에 전자추출계면층을 형성하는 단계를 더 포함하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 전자추출계면층은 스프레이 방법으로 형성하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항, 제 3항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 역구조 유기태양전지로서,일체형 전도성 기판; 상기 일체형 전도성 기판 상에 형성되는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 형성되는 정공추출층, 상기 정공추출층 상에 형성되는 투명 양극층; 및 상기 투명 양극층 상에 형성되는 광학조절층을 포함하고,상기 일체형 전도성 기판은 제1 표면을 갖는 금속층 및 상기 금속층 상부에 형성되고, 제2 표면을 갖는 전자추출층으로 이루어지고, 상기 제2 표면의 거칠기 값(Rq)이 상기 제1 표면의 거칠기 값(Rq) 보다 작으며, 상기 제1 표면과 제2 표면간의 거칠기 값(Rq) 차이는 5nm 미만인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 금속층은 구리, 알루미늄, 금, 백금, 팔라듐, 은, 니켈, 납, 니오디움, 아연 및 주석으로 이루어지는 그룹에서 선택된 1종 이상의 비철계 합금 또는 스테인리스 스틸 및 철-니켈(Fe-Ni) 전주 극박 중 1종 이상의 철계 금속인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 전자추출층은 반도체 물질을 포함하고,상기 반도체 물질은 TiOx(x=1, 2, 3), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화구리(Copper(II) Oxide), 산화구리알루미늄(Copper Aluminium Oxide), 산화아연로듐 (Zinc Rhodium Oxide), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide) 및 ZrO2로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 전자추출층은 상기 금속층의 일함수(work function)를 조절하는 것인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판 및 광흡수층 사이에 전자추출계면층을 더 포함하는 것인 역구조 유기태양전지
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