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일체형 전도성 기판을 제조하는 단계; 상기 일체형 전도성 기판 상부에 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 상부에 정공추출층을 형성하는 단계;상기 정공추출층 상부에 투명 양극층을 형성하는 단계; 및상기 투명 양극층 상부에 광학조절층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 일체형 전도성 기판은 금속층 상부에 포토-어닐링(photo-annealing)으로 전자추출층을 형성하는 것에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 포토-어닐링(photo-annealing)을 이용하여 전자추출층을 형성하는 단계는,i) 상기 금속층 상부에 반도체 물질의 전구체와 용매를 혼합한 혼합물을 스핀코팅(spin coating)법으로 도포하는 단계 및 ii) 상기 혼합물 도포 후 Deep UV 광선을 노광하는 단계로 이루어지는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 반도체 물질은 TiOx(x=1, 2, 3), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화구리(Copper(II) Oxide), 산화구리알루미늄(Copper Aluminium Oxide), 산화아연로듐 (Zinc Rhodium Oxide), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide) 및 ZrO2로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상인 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 용매는 극성 또는 비극성 용매인 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 광흡수층 및 투명 양극층은 용액 공정 또는 진공 증착의 방법으로 형성하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판 및 광흡수층 사이에 전자추출계면층을 형성하는 단계를 더 포함하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 전자추출계면층은 스프레이 방법으로 형성하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 역구조 유기태양전지로서,일체형 전도성 기판; 상기 일체형 전도성 기판 상에 형성되는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 형성되는 정공추출층, 상기 정공추출층 상에 형성되는 투명 양극층; 및 상기 투명 양극층 상에 형성되는 광학조절층을 포함하고,상기 일체형 전도성 기판은 제1 표면을 갖는 금속층 및 상기 금속층 상부에 형성되고, 제2 표면을 갖는 전자추출층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 제1 표면 및 제2 표면은 거칠기 값(Rq) 차이가 5nm 미만인 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 금속층은 구리, 알루미늄, 금, 백금, 팔라듐, 은, 니켈, 납, 니오디움, 아연 및 주석으로 이루어지는 그룹에서 선택된 1종 이상의 비철계 합금 또는 스테인리스 스틸 및 철-니켈(Fe-Ni) 전주 극박 중 1종 이상의 철계 금속인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 전자추출층은 반도체 물질을 포함하고,상기 반도체 물질은 TiOx(x=1, 2, 3), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화구리(Copper(II) Oxide), 산화구리알루미늄(Copper Aluminium Oxide), 산화아연로듐 (Zinc Rhodium Oxide), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide) 및 ZrO2로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 전자추출층은 상기 금속층의 일함수(work function)를 조절하는 것인 역구조 유기태양전지
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제 8항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판 및 광흡수층 사이에 전자추출계면층을 더 포함하는 것인 역구조 유기태양전지
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