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메모리 소자 및 메모리 셀 어레이

  • 기술번호 : KST2015169871
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 저항성 메모리 소자는 도전체로 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극과 접촉하는 제1 저항 변화층; 상기 제1 저항 변화층과 접촉하고, 도전체로 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극과 접촉하고, 상기 제1 저항 변화층과 동일한 물질로 형성된 제2 저항 변화층; 상기 제2 저항 변화층과 접촉하고, 상기 제1 전극과 동일한 물질로 형성된 제3 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020140012210 (2014.02.03)
출원인 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2157360-0000 (2020.09.11)
공개번호/일자 10-2015-0091689 (2015.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20200917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.01)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민규 대한민국 경기도 화성
2 김영배 대한민국 서울특별시 서초구
3 우지용 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 황현상 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0105134-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0121663-69
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.06.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0031800-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0006558-13
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0221546-62
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0221545-16
12 등록결정서
Decision to grant		 2020.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0516827-74
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번호 청구항
1 1
도전체로 형성된 제1 비트라인;상기 제1 비트라인과 접촉하는 제1 저항 변화층;상기 제1 저항 변화층과 접촉하고, 도전체로 형성된 제2 전극;상기 제2 전극과 접촉하고, 상기 제1 저항 변화층과 동일한 물질로 형성된 제2 저항 변화층;상기 제2 저항 변화층과 접촉하고, 상기 제1 비트라인과 동일한 물질로 형성된 제1 워드라인을 포함하는 저항성 메모리 셀 어레이
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 저항 변화층 및 상기 제2 저항 변화층은 비화학양론적(non-stoichiometric) 조성을 갖는 금속 산화물을 포함하는 저항성 메모리 셀 어레이
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 저항 변화층 및 상기 제2 저항 변화층은 Ni 산화물, Ti 도핑된 Ni 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Nb 산화물, Al 산화물, V 산화물, Cr 산화물, Ta 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 저항성 메모리 셀 어레이
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 비트라인 및 상기 제1 워드라인은 이온화 가능한 금속(Ionizable Metal)로 구성되는 저항성 메모리 셀 어레이
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 비활성 금속(Inert Metal)로 구성되는 저항성 메모리 셀 어레이
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 저항 변화층 및 상기 제2 저항 변화층은 상기 제1 비트라인과 상기 제1 워드라인 사이에 제1 전압이 인가되는 경우, 금속 필라멘트가 형성되는 저항성 메모리 셀 어레이
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 저항 변화층 및 상기 제2 저항 변화층의 두께는 2-20nm인 저항성 메모리 셀 어레이
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 저항 변화층 및 상기 제2 저항 변화층은 상기 제1 비트라인 및 상기 제1 워드라인을 구성하는 금속의 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 셀 어레이
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 저항 변화층 및 상기 제2 저항 변화층은 칼코지나이드계(Chalcogenide) 전해질로 구성되는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 셀 어레이
10 10
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1 US20150221701 US 미국 FAMILY

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1 US2015221701 US 미국 DOCDBFAMILY
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