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제 1 도전형 베이스 반도체층;상기 베이스 반도체층 상에 형성되며, 복수의 개구부를 갖는 마스크층; 및상기 각 개구부를 통해 노출된 제 1 도전형 베이스 반도체층에 형성되며, 적어도 2종의 결정성장면(facet)을 갖는 제 1 도전형 다면구조체와, 상기 제 1 도전형 다면구조체 표면에 형성된 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 돌출부;를 포함하며,상기 복수의 개구부는 스트립, 원, 타원, 삼각형 이상의 다각형, 링 중 적어도 2종 이상의 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 마스크층은 SiO2, SiOx, SiN, SiNx, Al2O3 및 GaO로 이루어진 그룹에서 1종 이상을 포함하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 스트립 모양의 개구부의 방향은 003c#1-100003e#, 003c#11-20003e# 및 003c#21-30003e# 중 어느 하나이고, 폭은 1~5㎛이며, 길이는 3~50㎛인 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 원 모양의 개구부의 직경은 1~10㎛인 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 링 모양의 개구부의 내접원의 직경은 5㎛ 이상이고, 폭은 1~10㎛인 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 제 1 도전형 다면구조체는 C면, A면, M면, {1-101}을 포함하는 {1-10n}면, {11-22}를 포함하는 {11-2n}면 및 {21-33}을 포함하는 {21-3n}면 중 2 이상의 결정성장면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 반도체 발광소자는 사파이어 기판을 추가로 포함하며, 상기 제 1 도전형 베이스 반도체층은 상기 사파이어 기판의 C면, R면 중 어느 하나의 결정성장면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 반도체 발광소자는 질화물 반도체 기판을 추가로 포함하며, 상기 제 1 도전형 베이스 반도체층은 상기 질화물 반도체 기판의 C면, M면, A면 및 R면 중 어느 하나의 결정성장면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 반도체 발광소자는 실리콘(Si) 기판을 추가로 포함하며, 상기 제 1 도전형 베이스 반도체층은 상기 실리콘(Si) 기판의 (111)면 및 (100)면 중 어느 하나의 결정성장면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 베이스 반도체층과 접속된 제 1 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자 어레이
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제 1항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층과 접속된 제 2 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자 어레이
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