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광경화성 수지 조성물을 기판에 도포하고;일정 패턴이 형성된 소수성 템플레이트(template)를 상기 광경화성 수지 조성물 위에 위치시키고;상기 광경화성 수지 조성물을 고화시켜 광경화성 수지층을 형성시키고;상기 소수성 템플레이트를 상기 광경화성 수지층으로부터 분리하는 공정을 포함하는 상기 소수성 템플레이트 패턴에 대응되는 역패턴이 표면에 형성되고, 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 소수성 템플레이트는 소수성 표면을 갖는 식물 잎인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 소수성 표면을 갖는 식물 잎은 표면 접촉각이 150도 이상인 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 소수성 표면을 갖는 식물 잎은 그령(lovegrass), 대나무(bamboo), 은단풍(siliver maple tree), 튤립나무(tulip tree), 중국단풍(trident maple), 벼(rice), 연 및 피라칸사스(pyracantha)로 이루어진 군에서 선택되는 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고화시키는 공정은 자외선을 조사하는 공정으로 실시하는 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 공정은 UV 나노임프린트 리소그래피 공정인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 공정은 150 kPa 이상의 압력 하에서 실시하는 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 공정은 150 내지 500kPa의 압력 하에서 실시하는 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 공정은 600초 이상 실시하는 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 공정은 600초 내지 30분 동안 실시하는 것인 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 의해 제조되고, 146
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