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그래핀 구조체 제조방법, 그것에 의해 제조된 그래핀 구조체 및 이를 포함하는 투명전극 및 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015169900
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도핑된 그래핀의 열적 안정도의 향상을 위한 그래핀 구조체 제조방법, 그것에 의해 제조된 그래핀 구조체 및 이를 포함하는 투명전극 및 발광다이오드에 대한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 구조체 제조방법은 기판 상에 제1 그래핀층을 형성하고, 제1 그래핀층을 금속 염화물로 도핑하고, 상기 도핑된 제1 그래핀층 상에 적어도 하나의 제2 그래핀층을 적층하는 것을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 그래핀 구조체는 제1 그래핀층, 상기 제1 그래핀층 상에 적층된 적어도 하나의 제2 그래핀층을 포함하되, 상기 제1 그래핀층은 금속 염화물로 도핑될 수 있다. 본 발명에 따른 투명전극은 상기 그래핀 구조체를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 상기 투명전극을 포함할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020130080132 (2013.07.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사, 주식회사 글로우원
등록번호/일자 10-2071033-0000 (2020.01.23)
공개번호/일자 10-2015-0006915 (2015.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20200203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 주식회사 글로우원 대한민국 경기도 화성시 삼

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 권기창 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 김범준 대한민국 경기 고양시 일산동구
4 김수영 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
3 주식회사 글로우원 경기도 화성시 삼
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0615572-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5192898-06
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0486852-62
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0042526-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5078152-27
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0589717-25
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-1016646-86
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1016657-88
14 등록결정서
Decision to grant
2019.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0772500-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다층의 그래핀층을 포함하는 그래핀 구조체의 제조 방법으로,기판 상에 제1 그래핀층을 형성하고,상기 제1 그래핀층을 금속 염화물로 도핑하고,상기 도핑된 제1 그래핀층 상에 상기 그래핀 구조체의 마지막층인 제2 그래핀층을 적층하는 것을 포함하되,상기 제2 그래핀층은 금속 염화물 도핑없이 상기 제1 그래핀층 상에 잔류하는 그래핀 구조체의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제2 그래핀층 이외의 다른 다층의 그래핀층은 모두 금속 염화물로 도핑된 그래핀 구조체의 제조방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 금속 염화물은 AuCl3, IrCl3, MoCl3, OsCl3, PdCl2 및 RhCl3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 염화물을 포함하는 그래핀 구조체의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 기판은 금속산화물계 기판, 실리카계 기판, 또는 플라스틱 기판을 포함하는 그래핀 구조체의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 기판은 SiO2, ZrO2, TiO2, Al2O3, 글래스, 석영, HfO2, MgO 및 BeO 중 어느 하나인 그래핀 구조체의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제1 그래핀층을 형성하는 것은, 상기 기판 상에 제1 그래핀층을 전사하는 것을 포함하는 그래핀 구조체의 제조방법
7 7
제1 그래핀층;상기 제1 그래핀층 상에 적층된 제2 그래핀층을 포함하되, 상기 제1 그래핀층은 금속 염화물로 도핑되고,상기 제2 그래핀층은 금속 염화물 도핑없이 상기 제1 그래핀층 상에 잔류하는 그래핀 구조체
8 8
청구항 7에 있어서,금속 염화물로 도핑된 복수의 그래핀층들을 포함하되, 상기 제2 그래핀층은 상기 복수의 그래핀층들 상에 위치하는 그래핀 구조체
9 9
청구항 7 또는 청구항 8에 있어서, 상기 금속 염화물은 AuCl3, IrCl3, MoCl3, OsCl3, PdCl2 및 RhCl3 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 염화물을 포함하는 그래핀 구조체
10 10
청구항 7 또는 청구항 8에 따른 그래핀 구조체를 포함하는 투명전극
11 11
청구항 10에 따른 투명전극을 포함하는 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.