요약 | 본 발명은 표면증강라만산란 분광용 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법은 고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계 및 상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 높은 반복 재현성과 더불어 제조비용이 낮고, 핫스팟(hot spots)의 유도가 효율적으로 이루어져 물질의 검출 감도를 향상시킬 수 있는 표면증강라만산란 분광용 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다. |
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Int. CL | G01J 3/44 (2006.01) G01J 3/02 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020110065451 (2011.07.01) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1229065-0000 (2013.01.28) |
공개번호/일자 | 10-2013-0003843 (2013.01.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130204) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.07.01) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
2 | 손준호 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
3 | 이일환 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0505320-23 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.05.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0038481-21 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.08.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0492921-39 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.10.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0863059-42 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0863058-07 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.01.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0030459-78 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법에 있어서,고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계; 및상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하고,상기 나노 패턴 형성단계는, 상기 고분자 기판의 조직이 상호 다른 나노 크기의 비정질 영역(amorphous region)과 반결정질 영역(semi-crystalline region)으로 구분되는 것에 대하여 플라즈마 식각에 따른 식각율 차이로 나노 패턴을 형성하는 것임을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
2 |
2 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법에 있어서,고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계;상기 나노 패턴이 형성되어 있는 고분자 기판을 지지 홀더에 증착 방향에 대하여 경사지게 배치하는 고분자 기판 배치단계; 및상기 고분자 기판에 형성되어 있는 나노 패턴의 일부 영역 상에 금속 물질을 경사 증착하여 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하고,상기 나노 패턴 형성단계는, 상기 고분자 기판의 조직이 상호 다른 나노 크기의 비정질 영역(amorphous region)과 반결정질 영역(semi-crystalline region)으로 구분되는 것에 대하여 플라즈마 식각에 따른 식각율 차이로 나노 패턴을 형성하는 것임을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
3 |
3 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법에 있어서,고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계; 및상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 나노 입자를 도포하는 금속 나노 입자 도포단계를 포함하고,상기 나노 패턴 형성단계는, 상기 고분자 기판의 조직이 상호 다른 나노 크기의 비정질 영역(amorphous region)과 반결정질 영역(semi-crystalline region)으로 구분되는 것에 대하여 플라즈마 식각에 따른 식각율 차이로 나노 패턴을 형성하는 것임을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 패턴 형성단계에서, 플라즈마 식각 시간과 플라즈마 압력 중 적어도 하나를 조절하여 상기 나노 패턴의 형상을 조절하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
6 |
6 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane) 및 PI(polyimide) 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
7 |
7 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 형성되어 있는 금속 박막 상에 금속 나노 입자를 도포하는 금속 나노 입자 도포단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
8 |
8 제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 금속 박막은 Au, Ag, Al, Pt로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
9 |
9 제3 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Au, Ag, Al, Pt로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
10 |
10 제7 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Au, Ag, Al, Pt로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 |
11 |
11 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 기재된 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
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1 | WO2013005945 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
2 | WO2013005945 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2013005945 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
2 | WO2013005945 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 산업원천기술개발사업(산업기술) | 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
특허 등록번호 | 10-1229065-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20110701 출원 번호 : 1020110065451 공고 연월일 : 20130204 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130115 청구범위의 항수 : 10 유별 : G01J 3/44 발명의 명칭 : 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판 존속기간(예정)만료일 : 20180129 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2013년 01월 29일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 01월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0505320-23 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.05.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0038481-21 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.08.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0492921-39 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.10.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0863059-42 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0863058-07 |
7 | 등록결정서 | 2013.01.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0030459-78 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345212249 |
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세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415131567 |
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세부과제번호 | 10035598 |
연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345063087 |
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세부과제번호 | 2005-005-J13102 |
연구과제명 | 정보발생용 나노포토닉스 신소재 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200512~200811 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415115431 |
---|---|
세부과제번호 | 10035598 |
연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201003~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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