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양자점 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169924
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극성이 다른 전극에 각각 양자점을 포함하는 전도성 유기물층을 형성하고 상기 전도성 유기물층을 합체하는 방법을 통해 양자점 태양전지를 제조함으로써, 양자점 태양전지 제조공정의 효율화를 도모할 수 있는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 양자점 태양전지의 제조방법은, 제 1 전극에 제 1 양자점층을 형성하는 단계; 제 2 전극에 제 2 양자점층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 양자점층과 제 2 양자점층을 합착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020120157555 (2012.12.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1489776-0000 (2015.01.29)
공개번호/일자 10-2014-0087383 (2014.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20150204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이보라 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 함주영 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1094276-40
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0002865-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0009556-57
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0139921-73
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0405120-90
9 보정요구서
Request for Amendment		 2014.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0078451-08
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0495354-09
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0450581-68
12 보정요구서
Request for Amendment		 2014.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0090510-86
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0599755-10
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0519159-54
15 보정요구서
Request for Amendment		 2014.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0110740-39
16 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0634678-58
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0701253-18
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0701252-73
19 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0876539-76
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극에 제 1 양자점층을 형성하는 단계;제 2 전극에 제 2 양자점층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 양자점층과 제 2 양자점층을 합착하여 단위 셀을 만드는 단계;를 포함하고, 상기 제 1 양자점층과 제 2 양자점층은 각각 양자점과 전도성 고분자를 포함하고,상기 제 1 양자점층과 제 2 양자점층의 합착은 접착층의 사용 없이 상기 전도성 고분자의 가열, 가압 또는 가열 및 가압 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 합착은 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 합착은 5 ~ 350℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 양자점층 및 제 2 양자점층의 형성은, 드롭캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 분무 코팅(spray coating), 흐름 코팅(flow cating), 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅 또는 마이크로 컨택 프린팅에 의하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, Ⅱ-Ⅵ족계 화합물 반도체 나노 결정, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 나노 결정, Ⅳ족 반도체 나노 결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs,InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlPAs, GaInNAs, GaInNP, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, 200~1100nm 파장대의 광을 흡수하고, 1
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극은, ITO, AZO, GZO, IZO, Ag, Al, Au, Cu, CNT, Graphene, PEDOT:PSS 에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제2 전극은, Ag, Al, Au, Cu, Pt 에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 양자점층과 제 2 양자점층은 광 흡수 파장대가 상이한 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 제 1 양자점층은 p형 반도체로 이루어진 양자점을 포함하고, 상기 제 1 전극과 제 1 양자점층 사이에는 정공수집층이 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 제 2 양자점층은 n형 반도체로 이루어진 양자점을 포함하고, 상기 제 2 전극과 제 2 양자점층 사이에는 전자수집층이 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법
15 15
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.