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발광층으로 기능하는 질화물계 반도체층 상에 형성되며 Al 합금으로 이루어진 접촉층과,상기 접촉층 상에 형성되고 일부 입자가 상기 반도체층으로 내방 확산되며 Ag 금속으로 이루어진 반사층과,상기 반사층 상에 형성되어 상기 반사층의 외방 확산을 억제하는 보호층을 포함하고,상기 접촉층으로는 Mg, Cu, In, Sn 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 및 Al 금속을 포함하는 합금이 사용되는 것을 특징으로 하는 오믹 전극
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청구항 1에 있어서,상기 접촉층의 두께는 2nm ~ 5nm, 상기 반사층의 두께는 150nm ~ 5000nm, 상기 보호층의 두께는 40nm ~ 100nm 인 것을 특징으로 하는 오믹 전극
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청구항 1에 있어서,상기 보호층으로는 Ru, Ir, Rh, Pt, W, Ta, Co 중에서 선택되는 어느 하나의 금속이 사용되는 것을 특징으로 하는 오믹 전극
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발광층으로 기능하는 질화물계 반도체층 상에 형성되는 오믹 전극의 형성 방법에 있어서,상기 반도체층 상에 Al 합금으로 이루어진 접촉층, Ag 금속으로 이루어진 반사층 및 상기 반사층의 외방 확산을 억제하는 보호층을 순차적으로 적층하는 단계와,상기 반사층에서 내방 확산된 일부 입자들에 의해 상기 반도체층과의 계면에 오믹 접촉이 형성되도록 상기 접촉층, 반사층 및 보호층을 포함하는 구조물에 대한 열처리 공정을 실시하는 단계를 포함하고,상기 Al 합금은 Al 금속과, Mg, Cu, In, Sn 중 어느 하나의 금속으로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 5에 있어서,상기 보호층으로는 Ru, Ir, Rh, Pt, W, Ta, Co 중에서 선택되는 어느 하나의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 5에 있어서,상기 열처리 공정은 200℃ ~ 600 ℃ 의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 5에 있어서,상기 열처리 공정은 산소를 포함하는 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 5에 있어서,상기 산소를 포함하는 분위기는 산소 분위기, 대기 분위기, 산소와 질소의 혼합 분위기 및 산소와 아르곤의 혼합 분위기 중 어느 하나의 분위기인 것을 특징으로 하는 오믹 전극의 형성 방법
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발광층으로 기능하는 질화물계 반도체층과,상기 반도체층 상에 형성되는 오믹 전극을 포함하고,상기 오믹 전극은,발광층으로 기능하는 질화물계 반도체층 상에 형성되며 Al 합금으로 이루어진 접촉층과, 상기 접촉층 상에 형성되고 일부 입자가 상기 반도체층으로 내방 확산되며 Ag 금속으로 이루어진 반사층 및 상기 반사층 상에 형성되어 상기 반사층의 외방 확산을 억제하는 보호층을 포함하며,상기 Al 합금은 Al 금속과, Mg, Cu, In, Sn 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 반도체 발광 소자
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청구항 11에 있어서,상기 반도체층은 순차로 적층된 n형층, 활성층, p형층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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청구항 11에 있어서,상기 보호층으로는 Ru, Ir, Rh, Pt, W, Ta, Co 중에서 선택되는 어느 하나의 금속이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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