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적층 형성된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층;
상기 p형 반도체층 상에 형성된 p형 전극층 및 에칭 스탑층;
상기 p형 전극층 및 에칭 스탑층 상에 형성된 커버층;
상기 커버층 상에 형성된 전도성 지지층; 및
상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극층을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 p형 전극층은 상기 p형 반도체층 상의 일부 영역에형성되는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 p형 전극층은 전극 금속과 반사 금속을 이용하여 단일층 또는 다층 구조로 형성된 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 커버층은 상기 p형 전극층을 감싸도록 상기 p형 전극층 및 에칭 스탑층 상에 형성된 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 p형 전극층 상에 형성된 반사층을 더 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 p형 전극층은 상기 p형 반도체층 상의 전체 영역에 형성되는 발광 소자
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제 6 항에 있어서, 상기 p형 전극층 상의 일부 영역에 형성된 반사층을 더 포함하는 발광 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 에칭 스탑층은 상기 반사층과 이격되어 상기 p형 전극층 상의 일부 영역에 형성된 발광 소자
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제 5 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 커버층은 상기 반사층을 감싸도록 형성된 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 커버층은 상기 p형 전극층 및 상기 전도성 지지층과 접착력이 우수한 금속으로 형성된 발광 소자
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제 10 항에 있어서, 상기 커버층과 상기 전도성 지지층 사이에 형성된 확산 방지층을 더 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 지지층은 금속층, 전도성 세라믹층 또는 불순물이 도핑된 반도체층중 적어도 어느 하나가 단일층 또는 다층으로 형성된 발광 소자
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제 12 항에 있어서, 상기 전도성 세라믹은 Nb가 도핑된 SrTiO3, Al이 도핑된 ZnO, ITO 또는 IZO중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자
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제 12 항에 있어서, 상기 반도체층은 B가 도핑된 Si, As가 도핑된 Si, 불순물이 도핑된 다이아몬드, 불순물이 도핑된 Ge중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 커버층과 상기 전도성 지지층 사이에 형성된 본딩층을 더 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층의 측벽과 상기 n형 반도체층 상의 일부에 형성된 보호층을 더 포함하는 발광 소자
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제 16 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 에칭 스탑층 상부 및 하부에 더 형성된 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 n형 전극층 상부 또는 하부에 형성된 반사 방지막을 더 포함하는 발광 소자
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절연성 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 p형 반도체층 상에 서로 이격되도록 p형 전극층 및 에칭 스탑층을 형성하는 단계;
상기 p형 전극층을 감싸도록 상기 p형 전극층 상에 커버층을 형성하는 단계;
상기 커버층 상에 전도성 지지층을 형성한 후 상기 절연성 기판을 분리시키는 단계;
상기 에칭 스탑층이 노출되도록 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 식각한 후 이들층을 감싸도록 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 n형 반도체층 상부에 n형 전극층을 형성한 후 절단하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 형성한 후 이들 층들의 소정 영역을 식각하여 상기 절연성 기판을 노출시키는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 식각된 영역에 절연 물질을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 절연 물질은 감광막 또는 에칭 스탑층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 p형 전극층은 전극 금속 및 반사 금속을 적층하여 상기 p형 반도체층 상의 일부 영역에 형성되는 발광 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서, 상기 p형 전극층을 형성한 후 질소 분위기 또는 0
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제 19 항에 있어서, 상기 p형 전극층은 상기 p형 반도체층 상의 전체 영역에 형성되는 발광 소자의 제조 방법
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제 25 항에 있어서, 상기 p형 전극층 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 26 항에 있어서, 상기 p형 전극층은 투명 전도성 물질로 형성하고, 상기 투명 전도성 물질을 200℃ 내지 800℃의 온도에서 열처리하는 발광 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 에칭 스탑층은 상기 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층과 식각 선택비가 차이나는 물질로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 28 항에 있어서, 상기 에칭 스탑층은 MgO, Al2O3, ZrO2, IrO2, RuO2, TaO2, WO3, VO3, HfO2, RhO2, NbO2, YO3, ReO3중 적어도 어느 하나로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 전도성 지지층은 금속층, 전도성 세라믹층 또는 불순물이 도핑된 반도체층이 단일층중 적어도 하나를 단일층 또는 다층으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 30 항에 있어서, 상기 금속층은 전기 도금 또는 진공 증착 방법으로 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 30 항에 있어서, 상기 금속층, 전도성 세라믹층 또는 불순물이 도핑된 반도체층은 본딩층에 의해 상기 커버층과 본딩되는 발광 소자의 제조 방법
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제 32 항에 있어서, 상기 본딩층은 Au가 80%이고 Sn이 20%인 용융 합금을 상기 커버층 및 상기 전도성 지지층중 적어도 하나의 상부에 도포한 후 280℃ 내지 400℃의 온도에서 1분 내지 120분 열처리하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 32 항에 있어서, 상기 본딩층은 Au가 10%이고 Sn이 90%인 용융 합금을 사기 커버층 및 상기 전도성 지지층중 적어도 어느 하나의 상부에 도포한 후 220℃ 내지 300℃의 온도에서 1분 내지 120분 열처리하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 n형 전극 상부 또는 하부에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 35 항에 있어서, 상기 반사 방지막은 ITO, ZnO, SiO2, Si3N4, IZO중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 n형 반도체층의 소정 영역을 러프닝 처리하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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