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니켈 박막 촉매의 산화 환원 반응을 이용한 니켈실리사이드 나노 구조체의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015169961
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 니켈 실리사이드 나노 선(wire)을 제조함에 있어서 그 밀도를 조절할 수 있고 직경을 균일하게 할 수 있는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 대면적 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체 형성방법은 니켈층과 실리콘을 포함하는 반응 기체 간의 합성 전에, 니켈층의 표면에 형성된 산화막에 대해 산화 또는 환원처리를 하여 산화막의 양을 조절함으로써, 합성시 형성되는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 밀도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 한다. 니켈 실리사이드, 나노 구조체
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 53/00(2013.01) C01G 53/00(2013.01) C01G 53/00(2013.01) C01G 53/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080060078 (2008.06.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0985885-0000 (2010.09.30)
공개번호/일자 10-2010-0000541 (2010.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20101008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 강기범 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0455372-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0013921-10
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0280328-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판상에 니켈층을 형성하는 단계와, (b) 상기 니켈층에 산화 또는 환원 처리를 통해 상기 니켈층에 형성된 산화막의 양을 조절하는 단계와, (c) 상기 니켈층 및 산화막과 실리콘을 포함하는 반응 기체를 반응시켜 니켈 실리사이드를 합성하는 단계를 포함하는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 산화막의 양은 산화처리 시간으로 조절되는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 형성방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 쿼츠 기판, ITO 기판, 유리 기판 또는 SiO2/Si 기판인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 형성방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 반응기체는 SiHxCly (x=0~4, y=0~4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 형성방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 산화 처리의 온도는 390 ~ 410℃인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 형성방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 형성방법을 통해 형성된 니켈 실리사이드 나조 구조체를 이용한 전자 방출 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.