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1
기판 상에 형성된 양극;
상기 양극 상에 형성되며, 일함수가 양극보다 큰 금속 산화물로 이루어진 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및,
상기 발광층 상에 형성된 음극
을 포함하는 유기 발광 다이오드
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2
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물은 MoOx, GaOx, MgO, Cr2O3, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, MnO2, CoO2, TiO2 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질인 유기 발광 다이오드
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3
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물의 두께는 0 초과 20Å 이하인 유기 발광 다이오드
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4
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물이 MoOx인 경우, 상기 MoOx는 0 초과 20Å 미만의 두께로 형성되는 유기 발광 다이오드
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5
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물이 GaOx인 경우, 상기 GaOx는 0 초과 10Å 미만의 두께로 형성되는 유기 발광 다이오드
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6
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물이 MgO인 경우, 상기 MgO는 0 초과 5Å 미만의 두께로 형성되는 유기 발광 다이오드
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7
청구항 1에 있어서,
상기 발광층과 상기 음극 사이에 전자 수송층과 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 포함하는 유기 발광 다이오드
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8
청구항 1에 있어서,
상기 발광층과 상기 음극 사이에 형성된 전자 주입층을 포함하며, 상기 양극은 ITO막이고, 상기 정공 수송층은 α-NPD이며, 상기 발광층은 Alq3이고, 상기 전자 주입층은 LiF이며, 상기 음극은 Al막인 유기 발광 다이오드
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9
기판 상에 양극을 형성하는 단계;
상기 양극 위에 금속 산화물로 정공 주입층을 형성하는 단계;
상기 정공 주입층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층 위에 발광층을 형성하는 단계; 및,
상기 발광층 위에 음극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
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10
청구항 9에 있어서,
상기 정공 주입층을 형성하는 단계는 MoOx, GaOx, MgO, Cr2O3, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, MnO2, CoO2, TiO2 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질을 이용하여 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 그리고 전자선 증착법 중 어느 하나의 방법을 수행하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
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11
청구항 9에 있어서,
상기 양극을 형성한 후에 상기 양극을 산소 플라즈마 처리하는 단계와, 상기 정공 주입층을 형성한 후에 상기 정공 주입층을 산소 플라즈마 처리하는 단계 중 어느 하나 이상을 포함하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
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12
청구항 11에 있어서,
상기 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 파워는 25 내지 150 W이고, 공정 압력은 5 내지 500 mTorr이며, 주입되는 산소 유량은 3 내지 100 sccm, 그리고 산소 플라즈마 처리 시간 0
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13
청구항 9에 있어서,
상기 발광층을 형성하는 단계와 상기 음극을 형성하는 단계 사이에 전자 수송층과 전자 주입층 중 어느 하나 이상을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
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