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태양전지

  • 기술번호 : KST2015169964
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지에 관한 것이다.본 발명에 따른 태양전지는 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 광 활성층 및 상기 광 활성층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 금속 박막층 및 상기 금속 박막층의 적어도 일면에 형성되어 있으며 상기 금속 박막층과 다른 굴절률을 갖는 유전체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 종래의 ITO 투명전극을 새로운 구조의 전극으로 대체함으로써 제조비용이 저감되고 우수한 광 투과도와 전기전도도를 갖는 동시에 유연한 특성을 구현할 수 있으며, 입사되는 빛을 산란 및 확산시키는 다수의 나노 패턴을 전극에 형성하여 광 활성층으로 통과하는 빛의 경로를 증가시킴으로써 효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01)
출원번호/일자 1020120027048 (2012.03.16)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 주식회사 포스코
등록번호/일자 10-1327419-0000 (2013.11.04)
공개번호/일자 10-2013-0105000 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20131108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.16)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 함주영 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 정관호 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 동완재 대한민국 경기 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)
2 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0213439-76
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0031082-49
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0227323-51
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0687861-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0608626-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0986454-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0986445-04
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0756218-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 금속 박막층 및 상기 금속 박막층의 적어도 일면에 형성되어 상기 금속 박막층과 다른 굴절률을 갖는 유전체층을 포함하여 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 광 활성층; 및상기 광 활성층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 유전체층의 표면에는 입사되는 광을 산란시켜 상기 광 활성층에서의 광 흡수효율을 높이기 위한 제1 나노패턴이 형성되어 있는 태양전지
2 2
기판 상에 형성되고, 금속 박막층 및 상기 금속 박막층의 적어도 일면에 형성되어 상기 금속 박막층과 다른 굴절률을 갖는 유전체층을 포함하여 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 광 활성층; 및상기 광 활성층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 입사되는 광을 산란시켜 상기 광 활성층에서의 광 흡수효율을 높이기 위한 제2 나노패턴이 형성된 광 산란층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지
3 3
제1 항 또는 제2항에 있어서,상기 유전체층은 낮은 광학적 소멸계수를 갖는 산화 탄탈륨(Ta2O5), 산화 타이타늄(TiO2), 산화 몰리브데늄(MoOx), 산화 니켈(NiOx), 산화 텅스텐(WOx), 황화 아연(ZnS), 산화 구리(CuOx), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 마그네슘(MgO), 산화 니켈(NiO), 산화 바나듐(V2O5), 산화 망간(MnO2) 및 산화 주석(SnO2)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지
4 4
제1 항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 박막층은 광학적 소멸계수가 낮고 전기전도도가 우수한 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지
5 5
제4 항에 있어서,상기 광 활성층이 유기 물질로 이루어진 경우,상기 금속 박막층과 상기 광 활성층 사이에 형성된 유전체층은 정공 추출의 기능을 수행하는 산화 몰리브데늄(MoO3), 산화 니켈(NiOx), 산화 텅스텐(WO3), 산화 바나듐(V2O5) 및 산화 구리(CuOx)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지
6 6
제1 항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 박막층과 상기 유전체층은 스퍼터링법 또는 전자선 증착법 또는 열 증착법 또는 화학 기상 증착법 또는 레이저 증착법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는, 태양전지
7 7
제1 항 또는 제2항에 있어서 상기 금속 박막층과 상기 유전체층의 두께는 1nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는, 태양전지
8 8
제1 항에 있어서,상기 제1 나노패턴은 레이저 간섭 효과를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 양극 산화 알루미늄을 마스크로 하여 패턴을 형성하는 방법 또는 나노 임프린팅을 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 자외선-오존 처리를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 산소 플라즈마 처리를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 리소그래피를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 고주파 유도 결합 플라즈마를 이용해 패턴을 형성하는 방법을 통해 상기 유전체층의 표면에 형성된 것을 특징으로 하는, 태양전지
9 9
제1 항에 있어서,상기 유전체층이 암염 결정구조를 갖는 산화 마그네슘(MgO), 산화 니켈(NiOx) 및 산화 구리(CuOx)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 경우, 상기 유전체층의 표면에는 결정면의 표면 에너지 차이에 의해 다수의 요철부들이 자발적으로 형성되어 상기 제1 나노패턴을 이루는 것을 특징으로 하는, 태양전지
10 10
삭제
11 11
제2 항에 있어서,상기 제1 전극이 상기 기판 상에 형성된 제1 유전체층 및 상기 제1 유전체층 상에 형성된 금속 박막층을 포함하는 경우,상기 광 산란층이 상기 기판과 상기 제1 유전체층 사이 또는 상기 제1 유전체층과 상기 금속 박막층 사이 또는 상기 금속 박막층과 상기 광 활성층 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 태양전지
12 12
제2 항에 있어서,상기 제1 전극이 상기 기판 상에 형성된 금속 박막층 및 상기 금속 박막층 상에 형성된 제2 유전체층을 포함하는 경우,상기 광 산란층이 상기 기판과 상기 금속 박막층 사이 또는 상기 금속 박막층과 상기 제2 유전체층 사이 또는 상기 제2 유전체층과 상기 광 활성층 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 태양전지
13 13
제2 항에 있어서,상기 제1 전극이 상기 기판 상에 형성된 제1 유전체층과 상기 제1 유전체층 상에 형성된 금속 박막층 및 상기 금속 박막층 상에 형성된 제2 유전체층을 포함하는 경우,상기 광 산란층이 상기 기판과 상기 제1 유전체층 사이 또는 상기 제1 유전체층과 상기 금속 박막층 사이 또는 상기 금속 박막층과 상기 제2 유전체층 사이 또는 상기 제2 유전체층과 상기 광 활성층 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 태양전지
14 14
제2 항에 있어서,상기 제2 나노패턴은 레이저 간섭 효과를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 양극 산화 알루미늄을 마스크로 하여 패턴을 형성하는 방법 또는 나노 임프린팅을 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 자외선-오존 처리를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 산소 플라즈마 처리를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 리소그래피를 이용해 패턴을 형성하는 방법 또는 고주파 유도 결합 플라즈마를 이용해 패턴을 형성하는 방법을 통해 상기 유전체층의 표면에 형성된 것을 특징으로 하는, 태양전지
15 15
제2항에 있어서,상기 광 산란층이 암염 결정구조를 갖는 물질로 이루어진 경우, 상기 광 산란층의 표면에는 결정면의 표면 에너지 차이에 의해 다수의 요철부들이 자발적으로 형성되어 상기 제2 나노패턴을 이루는 것을 특징으로 하는, 태양전지
16 16
제2 항에 있어서,상기 광 산란층의 두께는 100nm 이상 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 태양전지
17 17
제15 항에 있어서,상기 광 산란층은 진공 증착법 또는 전자선 증착법 또는 열 증착법 또는 스퍼터링법 또는 레이저 증착법 또는 유기 화학 기상 증착법 또는 화학 기상 증착법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는, 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.