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전면 발광형 유기 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015169973
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평탄화 공정 또는 절연 공정이 불필요하고 별도의 상부 전극 패드가 위치할 공간이 필요 없기 때문에 발광 면적이 증가하여 발광효율이 향상되는 전면 발광 OLED에 관한 것이다.본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 불투명 전도성 기판과, 상기 기판의 일 면에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함하고, 상기 상부 전극 패드는 상기 유기 발광층의 발광 면적의 일부를 가리는 형태로 형성된다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5228(2013.01) H01L 51/5228(2013.01) H01L 51/5228(2013.01)
출원번호/일자 1020110091764 (2011.09.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0028307 (2013.03.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 구본형 대한민국 경상북도 포항시 남구
7 이보라 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0707359-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041236-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0163342-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0409556-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0409557-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.08.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0562689-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0930232-30
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0930231-95
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0040657-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2014.04.09 수리 (Accepted) 7-8-2014-0009228-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불투명 전도성 기판과, 상기 기판의 일 면에 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과,상기 유기 발광층 상에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함하고, 상기 상부 전극 패드는 상기 유기 발광층의 발광 면적의 일부를 가리는 형태로 형성된 전면 발광형 유기 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 불투명 전도성 기판은 소자 형성면의 표면 거칠기가 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms003c#100nm, 0003c#Rp-v003c#1000nm인 것 전면 발광형 유기 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 불투명 전도성 기판이 하부 전극 패드 역할을 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 불투명 전도성 기판의 소자 형성면의 반대편에 추가로 하부 전극 패드를 형성한 전면 발광형 유기 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 불투명 전도성 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 또는 SUS(Steel Use Stainless)와 이들의 합금, 또는 상기 금속의 나노 와이어, 금속 그리드(grid), 또는 전도성 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 이루어진 전면 발광형 유기 발광 다이오드
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 상부 전극 패드 또는 상기 하부 전극 패드는, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 및 스테인리스 강으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금인 전면 발광형 유기 발광 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극과 상기 상부 전극 패드의 사이에 보조 전극이 형성되어 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극 패드 상에 추가로 보조 전극이 형성된 전면 발광형 유기 발광 다이오드
9 9
불투명 전도성 기판과, 상기 기판의 일 면에 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과,상기 유기 발광층 상에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극 상에 형성된 보조 전극을 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 유기 발광층의 발광 면적의 일부를 가리는 형태로 형성되며, 상기 보조 전극 상에 상부 전극 패드를 형성하지 않고, 상기 보조 전극을 상부 전극 패드로 활용하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.