요약 | 본 발명은 평탄화 공정 또는 절연 공정이 불필요하고 별도의 상부 전극 패드가 위치할 공간이 필요 없기 때문에 발광 면적이 증가하여 발광효율이 향상되는 전면 발광 OLED에 관한 것이다.본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 불투명 전도성 기판과, 상기 기판의 일 면에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함하고, 상기 상부 전극 패드는 상기 유기 발광층의 발광 면적의 일부를 가리는 형태로 형성된다. |
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Int. CL | H01L 51/50 (2006.01) |
CPC | H01L 51/5228(2013.01) H01L 51/5228(2013.01) H01L 51/5228(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110091764 (2011.09.09) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2013-0028307 (2013.03.19) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.09.09) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
2 | 이일환 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
3 | 김기수 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
4 | 홍기현 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
5 | 김성준 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
6 | 구본형 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
7 | 이보라 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0707359-85 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.04.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.05.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0041236-23 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.03.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0163342-10 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0409556-30 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0409557-86 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
8 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2013.08.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0562689-40 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.10.15 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0930232-30 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0930231-95 |
11 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2014.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0040657-25 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
13 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2014.04.09 | 수리 (Accepted) | 7-8-2014-0009228-36 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 불투명 전도성 기판과, 상기 기판의 일 면에 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과,상기 유기 발광층 상에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함하고, 상기 상부 전극 패드는 상기 유기 발광층의 발광 면적의 일부를 가리는 형태로 형성된 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 불투명 전도성 기판은 소자 형성면의 표면 거칠기가 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms003c#100nm, 0003c#Rp-v003c#1000nm인 것 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 불투명 전도성 기판이 하부 전극 패드 역할을 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 불투명 전도성 기판의 소자 형성면의 반대편에 추가로 하부 전극 패드를 형성한 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 불투명 전도성 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 또는 SUS(Steel Use Stainless)와 이들의 합금, 또는 상기 금속의 나노 와이어, 금속 그리드(grid), 또는 전도성 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 이루어진 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
6 |
6 제 4 항에 있어서, 상기 상부 전극 패드 또는 상기 하부 전극 패드는, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 및 스테인리스 강으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금인 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극과 상기 상부 전극 패드의 사이에 보조 전극이 형성되어 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극 패드 상에 추가로 보조 전극이 형성된 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
9 |
9 불투명 전도성 기판과, 상기 기판의 일 면에 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과,상기 유기 발광층 상에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극 상에 형성된 보조 전극을 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 유기 발광층의 발광 면적의 일부를 가리는 형태로 형성되며, 상기 보조 전극 상에 상부 전극 패드를 형성하지 않고, 상기 보조 전극을 상부 전극 패드로 활용하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0707359-85 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.04.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.05.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0041236-23 |
4 | 의견제출통지서 | 2013.03.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0163342-10 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0409556-30 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0409557-86 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
8 | 최후의견제출통지서 | 2013.08.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0562689-40 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.10.15 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0930232-30 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0930231-95 |
11 | 거절결정서 | 2014.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0040657-25 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
13 | 심사관의견요청서 | 2014.04.09 | 수리 (Accepted) | 7-8-2014-0009228-36 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345063087 |
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세부과제번호 | 2005-005-J13102 |
연구과제명 | 정보발생용 나노포토닉스 신소재 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200512~200811 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345135399 |
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세부과제번호 | 2009-0094037 |
연구과제명 | 나노포토닉스 신소재 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200512~201411 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345165204 |
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세부과제번호 | R31-2011-000-10059-0 |
연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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1 | 2014101000962 | 2014원962 | 2011년 특허출원 제0091764호 거절결정불복 | 2014.02.20 | 2014.12.15 |