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유리 기판의 결정 원자보다 결정 원자의 사이즈가 크고, 전하차가 하나 이하로 이루어지는 분자 치환층을 가공하고자 하는 구조물의 형상과 대칭되는 형상으로 상기 유리 기판과 마주하는 가공 면에 형성하는 분자 치환층 가공 단계,상기 유리 기판 위에 상기 분자 치환층의 가공 면이 접하도록 밀착시키는 밀착 단계, 상기 유리 기판의 결정 원자와 이에 접하는 상기 분자 치환층의 결정 원자를 서로 치환시키는 분자 치환 단계, 상기 유리 기판으로부터 상기 분자 치환층을 분리하는 분자 치환층 분리 단계, 및상기 유리 기판에서 분자 치환되어 유리 결정 구조가 약화된 부분을 식각하여 상기 구조물의 형상을 가공하는 가공 단계를 포함하는 유리 가공 방법
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제1항에 있어서, 상기 분자 치환층은, 벌크(bulk) 형태의 기판으로 이루어지는 유리 가공 방법
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제2항에 있어서, 상기 분자 치환층은, 상기 유리 기판의 결정 원자와 분자 치환이 가능한 비금속 기판으로 이루어지는 유리 가공 방법
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제2항에 있어서, 상기 분자 치환층은, 상기 유리 기판의 결정 원자와 분자 치환이 가능한 금속 기판으로 이루어지는 유리 가공 방법
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제4항에 있어서, 상기 유리 기판은 붕규산 유리 기판을 포함하는 유리 가공 방법
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제5항에 있어서, 상기 금속 기판은 알루미늄 기판인 것을 포함하는 유리 가공 방법
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제2항에 있어서, 상기 기판은 식각 공정에 의해 형상 가공되는 것을 포함하는 유리 가공 방법
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제1항에 있어서, 상기 분자 치환 단계는, 상기 유리 기판과 상기 분자 치환층에 열과 전기장을 가하여 분자 치환시키는 유리 가공 방법
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제8항에 있어서, 상기 전기장을 형성하는 전압의 세기와 상기 유리 기판의 가공 깊이가 서로 비례하는 유리 가공 방법
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제8항에 있어서, 상기 열처리 온도와 상기 유리 기판의 가공 깊이가 서로 비례하는 유리 가공 방법
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제8항에 있어서,상기 열처리 온도 및 상기 전기장을 형성하는 전압의 세기의 조합에 의해 상기 유리 기판의 가공 깊이를 조절하는 유리 가공 방법
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