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애노드, 정공수송층, 발광층 및 캐소드를 구비하고, 상기 캐소드가 금속의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드로서, 상기 캐소드가 (i) Al 또는 Ag의 제1금속 및 (ii) Ca, Ce, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Gd, Ge, In, La, Li, Mg, Mn, Na, Ni, Pb, Pd, Pt, Sb, Se, Sc, Si, Sn, Te, Ti, Y, Er, Th, Lu, Hf, Eu 및 Zn으로 구성된 군으로부터 선택되는 제2금속의 합금을 포함하며, 제1금속 및 제2금속의 합금위에 제1금속을 증착하여 캐소드의 구조가 제1금속 및 제2금속의 합금 층 및 제1금속 층의 이중층 구조로 이루어진 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1금속이 Al인 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2금속이 Ca 또는 Mg인 유기 발광 다이오드
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제5항에 있어서, 상기 제2금속이 Mg인 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 캐소드의 두께가 10㎚ 내지 150nm인 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 발광층과 캐소드의 사이에 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 애노드와 정공수송층의 사이에 정공주입층을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제9항에 있어서, 정공주입층이 이리듐 산화물로 이루어진 유기 발광 다이오드
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기판 상부에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 상부에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상부에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상부에 제1금속 및 제2금속의 합금위에 제1금속을 증착하여 캐소드의 구조가 제1금속 및 제2금속의 합금 층 및 제1금속 층의 이중층 구조로 이루어진 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법으로서,상기 캐소드 형성 단계에서 캐소드는 (i) Al 또는 Ag의 제1금속 및 (ii) Ca, Ce, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Gd, Ge, In, La, Li, Mg, Mn, Na, Ni, Pb, Pd, Pt, Sb, Se, Sc, Si, Sn, Te, Ti, Y, Er, Th, Lu, Hf, Eu 및 Zn으로 구성된 군으로부터 선택되는 제2금속의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 캐소드 형성 단계가 제1금속에 대한 제2금속의 비율이 1
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제11항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1금속이 Al인 유기 발광 다이오드
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제11항 또는 제13항에 있어서, 상기 제2금속이 Ca 또는 Mg인 유기 발광 다이오드
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제15항에 있어서, 상기 제2금속이 Mg인 유기 발광 다이오드
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제11항에 있어서, 애노드 형성 단계와 정공수송층 형성 단계 사이에 정공주입층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서, 정공주입층이 이리듐 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 발광층 형성 단계와 캐소드 형성 단계 사이에 전자수송층을 형성하는 단계 및 전자주입층을 형성하는 단계중 하나 이상을 더 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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