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고압 열처리를 이용한 스핀 온 글래스 절연막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015169991
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 종횡비(aspect ratio)를 갖는 반도체 구조에서도 저온 상태에서 균일한 절연막 형성이 가능한 스핀 온 글래스 절연막의 형성 방법에 관한 것으로, 복수의 높은 종횡비를 갖는 홀이 형성된 기판에 폴리실라제인 용액을 이용하여 스핀 온 글래스(SOG) 절연막을 도포하는 단계; 절연막의 용매 성분을 제거하기 위해 50 내지 350도 온도 범위에서 프리 베이크를 실시하는 단계; 프리 베이크 후에 제1 기압 분위기 및 제1 온도에서 1차 열처리를 실시하는 단계; 및 상기 1차 열처리 후 상기 제1 기압 분위기보다 높은 제2 기압 분위기 및 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 2차 열처리를 실시하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/324 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020140048674 (2014.04.23)
출원인 주식회사 풍산, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1571715-0000 (2015.11.19)
공개번호/일자 10-2015-0122432 (2015.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20151125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 풍산 대한민국 경기도 평택시
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 이대석 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 주식회사 에이치피에스피 경기도 수원시 권선구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0386940-10
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0069187-37
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0446401-19
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0018950-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0311631-63
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0674133-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0778849-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0778850-83
10 등록결정서
Decision to grant
2015.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0761674-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
높은 종횡비를 갖는 반도체 기판에 스핀 온 글래스(SOG) 절연막을 형성하기 위한 방법에 있어서,복수 홀이 형성된 기판에 폴리실라제인 용액을 이용하여 스핀 온 글래스(SOG) 절연막을 도포하는 단계;상기 절연막의 용매 성분을 제거하기 위해 일정 온도에서 프리 베이크를 실시하는 단계;상기 프리 베이크 후에 2 기압 및 150℃ 온도 조건에서 1차 열처리를 실시하는 단계; 및상기 1차 열처리 후 상기 2 기압보다 높은 고압 분위기 및 400℃ 온도 조건에서 2차 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 2차 열처리를 실시하는 단계는 10 기압 및 400℃ 온도 조건에서 이루어지는 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 1차 열처리 및 2차 열처리 각각은 H2O를 이용하여 30분 동안 수행되는 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 폴리실라제인 용액은 SixNyHz로 이루어지는 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 프리 베이크 단계는, 150℃로 30분 동안 수행되는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.