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고압 원자층 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015169992
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 종횡비(aspect ratio)를 갖는 3차원 반도체에서도 균일한 막 두께 형성이 가능하도록 하기 위해 기존의 원자층 증착 방법에 비해 10배 이상 높은 고압 조건에서 원자층을 증착하는 방법에 관한 것으로, 반응기 내에 기판을 투입하여 원자층을 증착하는 방법에 있어서, 제1 화학 반응물 가스를, 제1 투여 압력으로 상기 반응기 내에 투입하고 상기 반응기 내부를 제1 압력으로 유지하는 제1 단계; 제1 퍼지 가스를, 제1 퍼지 압력으로 상기 반응기 내로 투입하여 미반응 상기 제1 화학 반응물 가스를 제거하는 제2 단계; 제2 화학 반응물 가스를, 제2 투여 압력으로 상기 반응기 내에 투입하고 상기 반응기 내부를 제2 압력으로 유지하는 제3 단계; 및 제2 퍼지 가스를, 제2 퍼지 압력으로 상기 반응기 내로 투입하여 미반응 상기 제2 화학 반응물 가스를 제거하는 제4 단계를 포함하되, 상기 제1 압력 및 제2 압력은 30 내지 1000 torr를 포함한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/45527(2013.01) C23C 16/45527(2013.01)
출원번호/일자 1020140048675 (2014.04.23)
출원인 주식회사 풍산, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0122433 (2015.11.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 풍산 대한민국 경기도 평택시
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0386941-66
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0073127-58
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0446408-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0530645-27
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0963321-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1085730-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1085735-09
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0122879-24
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0352588-80
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0352599-82
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0438340-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응기 내에 기판을 투입하여 원자층을 증착하는 방법에 있어서,제1 화학 반응물 가스를, 제1 투여 압력으로 상기 반응기 내에 투입하고 상기 반응기 내부를 제1 압력으로 유지하는 제1 단계;제1 퍼지 가스를, 제1 퍼지 압력으로 상기 반응기 내로 투입하여 미반응 상기 제1 화학 반응물 가스를 제거하는 제2 단계;제2 화학 반응물 가스를, 제2 투여 압력으로 상기 반응기 내에 투입하고 상기 반응기 내부를 제2 압력으로 유지하는 제3 단계; 및제2 퍼지 가스를, 제2 퍼지 압력으로 상기 반응기 내로 투입하여 미반응 상기 제2 화학 반응물 가스를 제거하는 제4 단계를 포함하되,상기 제2 압력은 30 내지 1000 torr를 포함하는 고압 원자층 증착 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 압력은 서로 상이한 압력인 것을 특징으로 하는 고압 원자층 증착 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제2 화학 반응물 가스는 산소, 물, 오존 중 선택된 어느 하나를 포함하는 고압 원자층 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.