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원자층 증착 방법에서의 증착 온도 조절을 통한 루테늄 및전도성 루테늄 산화물 박막의 상 제어방법

  • 기술번호 : KST2015169999
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 루테늄 (Ru) 금속 및 루테늄 산화물 (RuOx) 전도성 박막 증착에 관한 것으로, 루테늄 금속 또는 루테늄 산화물 박막의 증착시, 상기 2가지 박막 간의 상(phase)의 전환이 용이한 상 제어방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 상 제어방법은, 원자층 증착 방법을 이용하여 루테늄 박막 또는 루테늄 산화물 박막을 제조하는 것으로, 다른 증착 조건의 조절 없이 증착 온도의 조절을 통해 증착되는 박막의 상(phase)을 루테늄 금속 또는 루테늄 산화물 형태로 제어하는데 특징이 있다. 본 발명에 따른 상 제어방법은, 산소 분위기에서 높은 온도를 요하는 고유전율 박막 공정이 함께 사용되는 메모리의 캐패시터의 전극이나 트랜지스터의 게이트 전극 분야에 다양하게 이용될 수 있다. 루테늄 박막, 루테늄 산화물 박막, 원자층 증착 방법, 증착 온도의 조절
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020080018506 (2008.02.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0093148 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경북 포항시 남구
2 박상준 대한민국 경남 남해군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0148711-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0016240-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0029377-94
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0181901-05
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.04.23 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0264227-19
7 보정요구서
Request for Amendment
2010.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0039888-38
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2010.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0046908-28
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0339654-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
원자층 증착 방법을 이용하여 루테늄 박막 또는 루테늄 산화물 박막을 제조함에 있어서, 다른 증착 조건의 조절 없이 증착 온도의 조절을 통해 증착되는 박막의 상(phase)을 루테늄 금속 또는 루테늄 산화물 형태로 제어하는 것을 특징으로 하는 박막의 상 제어방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 증착 온도의 조절은 기판 온도의 조절을 통하는 것을 특징으로 하는 박막의 상 제어방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 루테늄의 전구체는 Ru(EtCp)2인 것을 특징으로 하는 박막의 상 제어방법
4 4
제 2 항에 있어서, 루테늄 금속 박막을 증착할 때에는 기판의 온도를 300±25℃로 유지하고, 루테늄 금속 산화물 박막을 증착할 때는 기판의 온도를 350±25℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 박막의 상 제어방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 루테늄 전구체는 챔버 내로 주입시에 65±10℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 박막의 상 제어방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.