1 |
1
하기 화학식 1의 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제:<화학식 1>상기 식에서,A는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물이고,U는 우레틸 (urethyl) 작용기이고,R1은 C1-10의 지방족 알킬(aliphatic alkyl)기이며,R2는 비닐기, 할로겐기, 니트로기, 니트릴기, 아미노기, 아크릴옥시기 또는 에폭시기로 치환된 C1-10알킬기, 또는 C1-10알콕시기이고,n은 5 내지 50의 정수이다
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,화학식 1에서,A는 C1-10알킬에스터; 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 메틸렌글리콜 모노에틸에테르 또는 에틸렌글리콜 모노프로필에테르; 부틸아미드, 펩티드, 펜틸아미드, 아미도아민, 프로필렌이민, 프로필렌이민 테트라아민, 프로필렌이민 옥타아민, 프로필렌이민 헥사데카아민이고,R1은 C1-6알킬이며,R2는 트리에톡시, 에톡시 또는 디에톡시인,선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,수평균 분자량이 200 내지 4000 g/mol이고, 200 내지 400℃의 범위에서 열분해가 일어나는 것을 특징으로 하는, 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제
|
4 |
4
하기 화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물을 유기 용매 중에서 하기 화학식 3의 실란 화합물과 반응시키는 것을 포함하는, 하기 화학식 1의 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제의 제조방법:<화학식 1><화학식 2><화학식 3>상기 식에서,A, U, R1, R2 및 n은 상기 제1항의 화학식 1에 대해 정의한 바와 같고, X는 아민 또는 하이드록시이다
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물은 수평균 분자량이 200 내지 4000 g/mol이고, 200 내지 400 ℃의 범위에서 열분해가 일어나는 것을 특징으로 하는 방법
|
6 |
6
제 5 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터계 선형 고분자 화합물이 폴리C1-10알킬에스터인 것을 특징으로 하는 방법
|
7 |
7
제 5 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에테르계 선형 고분자 화합물이 폴리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 폴리메틸렌글리콜 모노에틸에테르 또는 폴리에틸렌글리콜 모노프로필에테르인 것을 특징으로 하는 방법
|
8 |
8
제 5 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 아미드계 선형 고분자 화합물이 폴리부틸아미드, 폴리펩티드, 폴리펜틸아미드, 폴리아미도아민 (poly(amidoamine)), 폴리프로필렌이민(poly(propyleneimine)), 폴리프로필렌이민 테트라아민(polypropylenimine tetraamine), 폴리프로필렌이민 옥타아민(polypropylenimine octaamine) 또는 폴리프로필렌이민 헥사데카아민(polypropylenimine hexadecaamine)인 것을 특징으로 하는 방법
|
9 |
9
제 4 항에 있어서,화학식 3의 실란 화합물이 3-이소시아네이토프로필 트라이에톡시실란 (3-isocyanatopropyl triethoxysilane)), 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시 실란((3-acryloxypropyl) trimethoxysilane), 3-아크릴옥시프로필 메틸디메톡시 실란((3-acryloxypropyl) methyldimethoxysilane), 3-아크릴옥시프로필 디메틸메톡시 실란((3-acryloxypropyl) dimethylmethoxysilane), 3-아크릴옥시프로필 메틸비스(트리메틸실록시) 실란((3-acryloxypropyl)methyl bis(trimethylsiloxy)silane), 3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란((3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane), 3-글리시독시프로필 메틸디메톡시 실란((3-glycidoxypropyl) methyldimethoxysilane), 3-글리시독시프로필 메틸디에톡시 실란((3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane), 3-글리시독시프로필 디메틸에톡시 실란((3-glycidoxypropyl) dimethylethoxysilane) 또는 3-글리시독시프로필 메틸 비스(트리메틸실록시) 실란((3-glycidoxypropyl)methyl bis(trimethylsiloxy)silane)인 것을 특징으로 하는 방법
|
10 |
10
제 4 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물 : 화학식 3의 실란 화합물이 1 : 1 내지 1 : 2 당량비로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법
|
11 |
11
제 1 항의 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제를 초저유전성 박막용 매트릭스 수지 성분과 함께 유기 용매에 용해시킨 후 이를 기판에 코팅한 후 200 내지 500℃에서 열처리하는 것을 포함하는, 다공성 초저유전성 박막의 제조방법
|
12 |
12
제 11 항에 있어서,매트릭스 수지 성분이 질량평균 분자량이 2,000 내지 50,000 g/mol인 폴리메틸실세스퀴옥센(PMSSQ)인 것을 특징으로 하는 다공성 초저유전성 박막의 제조방법
|
13 |
13
제 11 항에 있어서,선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제 및 매트릭스 수지 성분의 용해시 농도가 2 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 다공성 초저유전성 박막의 제조방법
|
14 |
14
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 얻어진, 다공성 초저유전성 박막
|
15 |
15
제 14 항에 있어서,3nm 이하의 기공 반지름을 가지며 유전율이 2 이하인 것을 특징으로 하는 다공성 초저유전성 박막
|