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선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계나노기공형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한초저유전성 박막

  • 기술번호 : KST2015170001
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1의 구조를 가진 본 발명에 따른 나노기공형성제는 반경 3 nm 이하의 구형 나노기공을 갖고 유전상수가 2.0 이하인 초저유전성 박막을 제조하는데 유용하게 이용될 수 있다.<화학식 1>상기 식에서,A는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물이고,U는 우레틸 (urethyl) 작용기이고,R1은 C1-10의 지방족 알킬 (aliphatic alkyl)기이며,R2는 비닐기, 할로겐기, 니트로기, 니트릴기, 아미노기, 아크릴옥시기 또는 에폭시기로 치환된 C1-10알킬기, 또는 C1-10알콕시기이고,n은 5 내지 50의 정수이다.
Int. CL C08G 77/06 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C08G 77/06(2013.01) C08G 77/06(2013.01) C08G 77/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070005591 (2007.01.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0068188 (2008.07.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경북 포항시 남구
2 황용택 대한민국 경북 포항시 남구
3 윤진환 대한민국 경북 포항시 남구
4 허규용 대한민국 경북 포항시 남구
5 진경식 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위정호 대한민국 경기도 성남시 중원구 양현로 ***, ***호 (여수동, 시티오피스타워)(J특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0052163-20
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0647532-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0079230-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0079212-81
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0276620-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0530934-39
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0530933-94
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0578882-13
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0032579-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제:<화학식 1>상기 식에서,A는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물이고,U는 우레틸 (urethyl) 작용기이고,R1은 C1-10의 지방족 알킬(aliphatic alkyl)기이며,R2는 비닐기, 할로겐기, 니트로기, 니트릴기, 아미노기, 아크릴옥시기 또는 에폭시기로 치환된 C1-10알킬기, 또는 C1-10알콕시기이고,n은 5 내지 50의 정수이다
2 2
제 1 항에 있어서,화학식 1에서,A는 C1-10알킬에스터; 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 메틸렌글리콜 모노에틸에테르 또는 에틸렌글리콜 모노프로필에테르; 부틸아미드, 펩티드, 펜틸아미드, 아미도아민, 프로필렌이민, 프로필렌이민 테트라아민, 프로필렌이민 옥타아민, 프로필렌이민 헥사데카아민이고,R1은 C1-6알킬이며,R2는 트리에톡시, 에톡시 또는 디에톡시인,선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제
3 3
제 1 항에 있어서,수평균 분자량이 200 내지 4000 g/mol이고, 200 내지 400℃의 범위에서 열분해가 일어나는 것을 특징으로 하는, 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제
4 4
하기 화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물을 유기 용매 중에서 하기 화학식 3의 실란 화합물과 반응시키는 것을 포함하는, 하기 화학식 1의 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제의 제조방법:<화학식 1><화학식 2><화학식 3>상기 식에서,A, U, R1, R2 및 n은 상기 제1항의 화학식 1에 대해 정의한 바와 같고, X는 아민 또는 하이드록시이다
5 5
제 4 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물은 수평균 분자량이 200 내지 4000 g/mol이고, 200 내지 400 ℃의 범위에서 열분해가 일어나는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 5 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터계 선형 고분자 화합물이 폴리C1-10알킬에스터인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 5 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에테르계 선형 고분자 화합물이 폴리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 폴리메틸렌글리콜 모노에틸에테르 또는 폴리에틸렌글리콜 모노프로필에테르인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 5 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 아미드계 선형 고분자 화합물이 폴리부틸아미드, 폴리펩티드, 폴리펜틸아미드, 폴리아미도아민 (poly(amidoamine)), 폴리프로필렌이민(poly(propyleneimine)), 폴리프로필렌이민 테트라아민(polypropylenimine tetraamine), 폴리프로필렌이민 옥타아민(polypropylenimine octaamine) 또는 폴리프로필렌이민 헥사데카아민(polypropylenimine hexadecaamine)인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 4 항에 있어서,화학식 3의 실란 화합물이 3-이소시아네이토프로필 트라이에톡시실란 (3-isocyanatopropyl triethoxysilane)), 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시 실란((3-acryloxypropyl) trimethoxysilane), 3-아크릴옥시프로필 메틸디메톡시 실란((3-acryloxypropyl) methyldimethoxysilane), 3-아크릴옥시프로필 디메틸메톡시 실란((3-acryloxypropyl) dimethylmethoxysilane), 3-아크릴옥시프로필 메틸비스(트리메틸실록시) 실란((3-acryloxypropyl)methyl bis(trimethylsiloxy)silane), 3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란((3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane), 3-글리시독시프로필 메틸디메톡시 실란((3-glycidoxypropyl) methyldimethoxysilane), 3-글리시독시프로필 메틸디에톡시 실란((3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane), 3-글리시독시프로필 디메틸에톡시 실란((3-glycidoxypropyl) dimethylethoxysilane) 또는 3-글리시독시프로필 메틸 비스(트리메틸실록시) 실란((3-glycidoxypropyl)methyl bis(trimethylsiloxy)silane)인 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 4 항에 있어서,화학식 2의 아민 또는 하이드록시기를 말단으로 갖는 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 선형 고분자 화합물 : 화학식 3의 실란 화합물이 1 : 1 내지 1 : 2 당량비로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 1 항의 선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제를 초저유전성 박막용 매트릭스 수지 성분과 함께 유기 용매에 용해시킨 후 이를 기판에 코팅한 후 200 내지 500℃에서 열처리하는 것을 포함하는, 다공성 초저유전성 박막의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,매트릭스 수지 성분이 질량평균 분자량이 2,000 내지 50,000 g/mol인 폴리메틸실세스퀴옥센(PMSSQ)인 것을 특징으로 하는 다공성 초저유전성 박막의 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서,선형의 지방족 에스터, 에테르 또는 아미드계 나노기공형성제 및 매트릭스 수지 성분의 용해시 농도가 2 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 다공성 초저유전성 박막의 제조방법
14 14
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 얻어진, 다공성 초저유전성 박막
15 15
제 14 항에 있어서,3nm 이하의 기공 반지름을 가지며 유전율이 2 이하인 것을 특징으로 하는 다공성 초저유전성 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.