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신뢰성이 우수한 고유전율 박막 및 고유전율 박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015170008
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고유전율 박막에 주입되는 질소의 위치와 양을 조절함으로써 고유전율 박막의 재현성과 열화에 대한 저항성을 높인 것으로, 특히 계면을 제외한 부분에 대한 질소처리와 질소처리시의 함량의 조절을 통해 박막의 신뢰성을 최적화시킨 것을 특징으로 한다. 본 발명은 MOSFET, 메모리 소자, TFT, 캐패시터 등에 모두 적용될 수 있으며 박막의 신뢰성과 계면특성을 향상시킬 수 있다. 고유전율 박막, 신뢰성
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01)
출원번호/일자 1020070115678 (2007.11.13)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0950811-0000 (2010.03.25)
공개번호/일자 10-2009-0049425 (2009.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20100402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경북 포항시 남구
2 맹완주 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0814084-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0018107-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0214376-19
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0436897-99
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0509425-53
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0509437-01
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0531468-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
적어도 일측의 계면에 있어서, 계면에서부터 소정 위치까지는 질소가 주입되어 있지 않고 나머지 부분은 질소가 주입되어 있는 것을 특징으로 하는 재현성과 열화에 대한 저항성이 우수한 고유전율 박막
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 고유전율 박막은 게이트 유전체로 사용되는 것을 특징으로 하는 고유전율 박막
4 4
삭제
5 5
박막의 계면에서 소정 위치까지는 질소가 주입되지 않은 유전체 박막을 형성시키고, 나머지 부분은 질소를 주입한 유전체 박막을 형성함으로써, 형성된 유전체 박막의 재현성과 열화에 대한 저항성을 높인 고유전율 박막의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 질소가 주입된 유전체 박막의 질소 함량을 통해 형성된 박막의 재현성과 열화에 대한 저항성을 최적화하는 것을 특징으로 하는 고유전율 박막의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 질소의 농도 구배 형성 또는 질소 주입층의 형성은, 원자층증착법(ALD), 화학적기상증착법(CVD), 또는 증착후어닐링(post deposition annealing) 공정에서 행해지는 것을 특징으로 하는 고유전율 박막의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.