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금속-알킬아마이드과 금속-알콕사이드 전구체 조합을사용한 원자층 화학 증착법을 이용한 하프늄 실리케이트박막 제조

  • 기술번호 : KST2015170010
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 전구체 조합을 이용하여 우수한 특성의 하프늄 실리케이트 박막을 성장시키는 원자층 화학 증착법에 관한 것이다. 원자층 화학증착법은 기판 표면에서 전구체간 리간드 치환반응을 통해 박막이 성장되는 방법이기 때문에 전구체의 선택이 박막특성에 크게 영향을 준다. 본 발명에서 사용된 적용된 전구체 조합은 추가적인 산화제 없이 금속(M1=Hf 혹은 Si)-알콕사이드와 금속(M2=Hf 혹은 Si)-알킬아마이드를 사용하여 삼성분계 금속산화막을 성장시킬 수 있다. 본 발명에 따른 전구체조합을 원자층 화학증착법에 적용하면, 높은 유전상수 (k), 큰 밴드갭에너지 (Eg), 우수한 열적안정성, 우수한 계면특성, 우수한 층 덮임률을 가진 수 나노두께의 하프늄 실리케이트 박막을 얻을 수 있다. 원자층 화학 증착법(ALCVD), 금속-알킬아마이드, 금속-알콕사이드, 하프늄 실리케이트 박막, 게이트산화막
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/06 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020060023679 (2006.03.14)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0760962-0000 (2007.09.17)
공개번호/일자 10-2007-0093619 (2007.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 용기중 대한민국 경북 포항시 남구
2 김재현 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0179215-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0010521-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0146632-16
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0372746-55
6 의견서
Written Opinion
2007.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0451074-68
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0451112-16
8 등록결정서
Decision to grant
2007.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0497081-91
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속알킬아마이드 전구체를 도입하는 단계;상기 금속-알킬아마이드 전구체를 퍼지하는 단계;금속-알콕사이드 전구체를 도입하는 단계; 및 상기 금속-알콕사이드 전구체를 퍼지하는 단계를 반복하여 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 금속박막의 원자층 화학 증착 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속은 하프늄, 실리콘, 지르코늄, 타이타늄, 또는 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 원자층 화학증착방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 알킬아마이드 전구체는 Hf(NRR')4, 또는 Si(NRR')4 이며, 상기 금속-알콕사이드 전구체는 Hf(OR)4, 또는 Si(OR)4 이며, 상기 금속 박막은 하프늄 실리케이트인 것을 특징으로 하는 금속 박막의 원자층 화학증착방법
4 4
제 3 항에 있어서, R 및 R'는 알킬리간드인 것을 특징으로 하는 금속 박막의 원자층 화학증착방법
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 R 및 R'는 노말, 이소-, 또는 tert- 형태의 메틸, 에틸, 프로필, 부틸인 금속 박막의 원자층 화학증착방법
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 질소, 아르곤, 수소로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 가스로 퍼지되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 원자층 화학증착방법
7 7
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 금속 알킬아마이드 또는 금속 알콕사이드 전구체는 펄스 형태로 버블러 시스템에 의해서 도입되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 원자층 화학 증착 방법
8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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국가 R&D 정보가 없습니다.