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양전하를 갖는 금속 나노입자, 및 상기 금속 나노입자의 표면에 핵산, 양이온성 고분자 및 음이온성 고분자가 정전기적 층별 자기조립(layer by layer self assembly)으로 코팅된 핵산층, 양이온성 고분자층 및 음이온성 고분자층을 포함하는 핵산 전달용 조성물
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 표면에 양전하가 도입된 금 나노입자, 은 나노입자, 또는 자성 나노입자인 핵산 전달용 조성물
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 도파민, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 및 시스테인으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 양전하 도입물질이 표면에 결합된 것인 핵산 전달용 조성물
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 시스테인이 표면에 결합된 것인 핵산 전달용 조성물
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제1항에 있어서, 상기 핵산은 작은 간섭 리보핵산(siRNA), 안티센스 핵산, 또는 핵산 앱타머(aptamer)인 핵산 전달용 조성물
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6
제1항에 있어서,상기 핵산은 5 내지 200개의 염기쌍으로 구성된 작은 간섭 리보핵산(siRNA), 안티센스 핵산 또는 핵산 앱타머(aptamer)인 핵산 전달용 조성물
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7 |
7
제1항에 있어서,상기 핵산은 상기 금속 나노입자에 대해 40 내지 48 : 1 (핵산:금속 나노입자)의 몰 비율로 포함된 것인 핵산 전달용 조성물
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8
제1항에 있어서,상기 양이온성 고분자는 폴리에틸렌이민, 키토산, 또는 폴리아미도아민인 핵산 전달용 조성물
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9
제1항에 있어서,상기 양이온성 고분자는 분자량 10kDa 내지 25kDa의 폴리에틸렌이민인 핵산 전달용 조성물
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10
제1항에 있어서,상기 음이온성 고분자는 히알루론산, 황산덱스트란, 헤파린, 황산헤파란, 콘드로이틴, 황산콘드로이틴, 황산케라탄, 황산데르마탄 및 이들의 약학적으로 허용가능한 염으로 이루어진 군에서 선택된 것인 핵산 전달용 조성물
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11
제1항에 있어서,상기 음이온성 고분자는 분자량 10 kD 내지 100 kD의 히알루론산 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염인 핵산 전달용 조성물
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12
제1항에 있어서,상기 핵산 전달용 조성물은 상기 금속 나노입자, 핵산, 양이온성 고분자 및 음이온성 고분자를 각각 90 내지 110 중량부, 3
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금속 나노입자와 양전하 도입물질을 반응시켜 금속 나노입자의 표면에 양전하를 도입하는 단계;상기 양전하가 도입된 금속 나노입자 표면에 핵산을 코팅하여 금속 나노입자/핵산 복합체를 형성하는 단계; 상기 금속 나노입자/핵산 복합체에 양이온성 고분자를 코팅하여 금속 나노입자/핵산/양이온성 고분자 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 금속 나노입자/핵산/양이온성 고분자 복합체에 음이온성 고분자를 코팅하여 금속 나노입자/핵산/양이온성 고분자/음이온성 고분자 복합체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 핵산, 양이온성 고분자, 및 음이온성 고분자의 코팅은 정전기적 층별 자기조립(layer by layer self assembly)에 의해 이루어지는 것인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 금 나노입자, 은 나노입자, 또는 자성 나노입자인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 양전하 도입물질은 도파민, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 또는 시스테인인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 금속 나노입자/핵산 복합체 형성단계는 상기 핵산이 포함된 용액에 상기 금속 나노입자가 포함된 용액을 첨가하는 것을 포함하여 이루어지는 것인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 상기 금속 나노입자에 코팅된 핵산 및 상기 금속 나노입자의 몰 비율이 40 내지 48 : 1 (핵산:금속 나노입자)이 되도록 첨가하는 것인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 핵산은 작은 간섭 리보핵산(siRNA), 안티센스 핵산, 또는 핵산 앱타머(aptamer)인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서,상기 양이온성 고분자는 상기 금속 나노입자/핵산 복합체의 핵산에 대하여 N/P 비율 1 내지 5로 코팅하는 것인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서,상기 양이온성 고분자는 폴리에틸렌이민, 키토산, 또는 폴리아미도아민인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서,상기 음이온성 고분자는 상기 금속 나노입자/핵산/양이온성 고분자 복합체의 양이온성 고분자에 대해 10 내지 30 : 1의 질량비로 코팅하는 것인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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제13항에 있어서,상기 음이온성 고분자는 히알루론산, 황산덱스트란, 헤파린, 황산헤파란, 콘드로이틴, 황산콘드로이틴, 황산케라탄, 황산데르마탄 및 이들의 약학적으로 허용가능한 염으로 이루어진 군에서 선택된 것인 핵산 전달용 조성물 제조방법
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