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나노막대가 함입된 산화물 박막 구조물 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170024
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노막대가 함입된 산화물 박막 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 성장된 막대 모양을 갖는 다수의 나노막대, 및 적어도 상기 다수의 나노막대 상부에 증착된 산화물 박막을 포함하여 이루어짐으로써, 상기 기판과 상기 산화물 박막 사이에 상기 나노막대가 함입되도록 구성된 산화물 박막 구조물 및 이를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 나노막대를 씨드(Seed)로 이용하여 산화물 박막을 형성하게 되므로, 나노막대가 가지는 양자 효과와 우수한 특성을 유지하고 나아가 여기에 산화물 박막 공정 기술을 접목함으로써 고품질, 고효율의 반도체 전자소자 및 광소자를 제조할 수 있는 이점이 있다.나노막대, 산화물 박막, 반도체 소자, MOCVD, ZnO
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C01G 9/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020050027436 (2005.04.01)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0696362-0000 (2007.03.12)
공개번호/일자 10-2006-0105069 (2006.10.11) 문서열기
공고번호/일자 (20070319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.01)
심사청구항수 35

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 안성진 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강경찬 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)(특허법인 태웅)
2 김동진 대한민국 경기도 성남시 분당구 성남대로***번길**, ***호(야탑동, 글라스타워)(특허법인유아이피(성남분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0173107-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0026736-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0446342-94
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0712159-16
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0762647-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 성장된 막대 모양을 갖는 다수의 나노막대; 및 적어도 상기 다수의 나노막대 상부에 증착된 산화물 박막을 포함하여 이루어짐으로써,상기 기판과 상기 산화물 박막 사이에 상기 나노막대가 함입되도록 구성된 산화물 박막 구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리기판, 산화실리콘(SiO2) 기판, 사파이어 기판, 주석이 함유된 인듐 산화물(ITO) 기판, 석영 기판, 폴리머 기판 및 금속 기판 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 ZnO, In2O3, CdO, MgO, SiO2, TiO2 등의 산화물, GaN 등의 질화물, SiC 등의 카바이드, GaAs, GaP, InP, GaInP, AlGaAs 등의 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 및 실리콘(Si) 계열 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노막대는 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이종 물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 상기 기판에 대하여 수직 방향으로 랜덤(random)하게 또는 규칙적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
6 6
제1항에 있어서, 상기 나노막대의 직경은 1~1000nm이고, 그 길이는 10nm~100㎛인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
7 7
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 그 길이 방향으로 양자우물 구조가 삽입된 이종 구조의 형태를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 그 둘레 방향으로 다중벽 구조의 형태를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
9 9
제1항에 있어서, 상기 산화물 박막은 CaO, SrO, BaO, WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, SnO3 및 Sb3O3으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 이들의 조합으로 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
10 10
제9항에 있어서, 상기 산화물 박막은 Al, Ga, In, Si, Ge, Mg, Zn, O, Se, Mn, Ti, Ni 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이종 물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
11 11
제1항에 있어서, 상기 산화물 박막은 상기 다수의 나노막대 상부 뿐만 아니라 측면에도 선택적으로 증착된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
12 12
제11항에 있어서, 상기 산화물 박막의 성장 속도가 상기 나노막대의 상단 부분으로 갈수록 점진적으로 빠르게 진행됨으로써, 상기 나노막대의 측면에 상기 산화물 박막이 역삼각형의 형태로 증착된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
13 13
제11항에 있어서, 상기 산화물 박막의 성장 속도가 상기 나노막대의 상단 부분만 빠르게 진행됨으로써, 상기 나노막대의 측면에 상기 산화물 박막이 증착된 후에도 상기 나노막대 하부는 나노막대의 형상을 유지하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
14 14
제1항에 있어서, 상기 산화물 박막은 이종의 물질이 순차적으로 증착된 다층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
15 15
제1항에 있어서, 상기 나노막대 및 상기 산화물 박막은 각각 ZnO를 그 주 성분으로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물
16 16
삭제
17 17
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 소정의 반응전구체들을 반응시켜 수직 방향으로 성장된 막대 모양을 갖는 다수의 나노막대를 형성하는 단계; 및 상기 다수의 나노막대를 씨드(Seed)로 이용하여 상기 나노막대가 형성된 기판 상에 산화물 반도체 박막을 증착하는 단계를 포함함으로써,상기 기판과 상기 산화물 박막 사이에 상기 나노막대가 함입되도록 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 기판으로서 실리콘 기판, 유리기판, 산화실리콘(SiO2) 기판, 사파이어 기판, 주석이 함유된 인듐 산화물(ITO) 기판, 석영 기판, 폴리머 기판 및 금속 기판 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 나노막대를 형성함에 있어 ZnO, In2O3, CdO, MgO, SiO2, TiO2 등의 산화물, GaN 등의 질화물, SiC 등의 카바이드, GaAs, GaP, InP, GaInP, AlGaAs 등의 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 및 실리콘(Si) 계열 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 나노막대가 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이종 물질을 추가로 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
21 21
제17항에 있어서, 상기 나노막대가 상기 기판에 대하여 수직 방향으로 랜덤(random)하게 또는 규칙적으로 배열되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
22 22
제17항에 있어서, 상기 나노막대의 직경이 1~1000nm이고, 그 길이가 10nm~100㎛가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
23 23
제 17항에 있어서, 상기 나노막대가 그 길이 방향으로 양자우물 구조가 삽입된 이종 구조의 형태를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
24 24
제 17항에 있어서, 상기 나노막대가 그 둘레 방향으로 다중벽 구조의 형태를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
25 25
제17항에 있어서, 상기 산화물 박막을 증착함에 있어 CaO, SrO, BaO, WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, SnO3 및 Sb3O3으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 이들의 조합을 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
26 26
제25항에 있어서, 상기 산화물 박막이 Al, Ga, In, Si, Ge, Mg, Zn, O, Se, Mn, Ti, Ni 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 이종 물질을 추가로 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
27 27
제17항에 있어서, 상기 나노막대는 유기금속 화학기상증착법(MOCVD) 등의 화학증착법, 스퍼터링법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스레이저 증착법, 분자빔 에피 박막 증착법 및 기상 이송법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
28 28
제17항에 있어서, 상기 산화물 박막은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD) 등의 화학증착법, 스퍼터링법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스레이저 증착법, 분자빔 에피 박막 증착법 및 기상 이송법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
29 29
제17항에 있어서, 상기 나노막대를 형성하는 단계는, 상기 기판을 반응기 내로 장입하는 단계; 제1 반응전구체와 제2 반응전구체를 운반기체를 이용하여 상기 반응기 내로 각각 주입하는 단계; 소정 범위의 온도와 소정 범위의 압력에서 상기 제1 반응 전구체와 상기 제2 반응 전구체를 화학 반응시켜 상기 기판 상에 막대 모양을 갖는 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
30 30
제29항에 있어서, 상기 제1 반응전구체는 디메틸아연(Zn(CH3)2)이고, 상기 제2 반응전구체는 산소(O2)인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
31 31
제29항에 있어서, 상기 소정 범위의 온도는 300~900℃이고, 상기 소정 범위의 압력은 10-5~2000mmHg인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
32 32
제17항에 있어서, 상기 산화물 박막을 증착하는 단계는, 상기 나노막대가 형성된 기판을 반응기 내로 장입하는 단계; 반응전구체와 산화물 소스 가스를 운반기체를 이용하여 상기 반응기 내로 각각 주입하는 단계; 소정 범위의 온도와 소정 범위의 압력에서 상기 반응전구체와 상기 산화물 소스 가스를 화학 반응시켜 산화물 박막을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
33 33
제32항에 있어서, 상기 반응전구체는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트[Zn(OOCCH3)2·H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2] 중 어느 하나이고, 상기 산화물 소스 가스는 산소(O2), 물(H2O), 산화질소(NO2) 및 과산화수소(H2O2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
34 34
제32항에 있어서, 상기 소정 범위의 온도는 20~1100℃이고, 상기 소정 범위의 압력은 10-5~2000mmHg인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
35 35
제17항에 있어서, 상기 산화물 박막을 상기 다수의 나노막대 상부 뿐만 아니라 측면에도 선택적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
36 36
제17항에 있어서, 상기 증착된 산화물 박막 상에 이종의 물질로 된 산화물 박막을 증착하는 단계를 더 포함함으로써, 산화물 박막이 다층 구조를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 구조물의 제조방법
37 37
삭제
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국가 R&D 정보가 없습니다.