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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170025
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 태양 전지는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 제1형 반도체, 제2 전극 위에 형성되어 있는 제2형 반도체, 제2형 반도체 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 제1형 반도체 및 제2형 반도체 중 적어도 하나는 나노 크기의 규소 입자를 포함한다.
Int. CL H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120099432 (2012.09.07)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1389540-0000 (2014.04.21)
공개번호/일자 10-2014-0034353 (2014.03.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영권 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0725100-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095808-73
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0844227-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0110451-56
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0110449-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0262338-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 제1형 반도체,상기 제1 형 반도체 위에 위치하는 진성 반도체,상기 진성 반도체 위에 형성되어 있는 제2형 반도체,상기 제2형 반도체 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 제1형 반도체, 진성 반도체 및 제2형 반도체 중 적어도 하나는 나노 크기의 규소 입자를 포함하고,상기 규소 입자의 밴드갭 에너지는 1
2 2
제1항에서,상기 규소 입자는 10nm 이하의 크기로 이루어지는 태양 전지
3 3
기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 제1형 반도체를 형성하는 단계,상기 제1형 반도체 위에 진성 반도체를 형성하는 단계,상기 진성 반도체 위에 제2형 반도체를 형성하는 단계,상기 제2형 반도체 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1형 반도체, 진성 반도체, 및 제2형 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 플라스마 장치의 RF파워를 제1 파워, 제2 파워 및 제1 파워 순으로 변화시키는 단계를 포함하고,상기 제2 파워는 상기 제1 파워보다 큰 태양 전지의 제조 방법
4 4
제3항에서상기 제1형 반도체, 진성 반도체 및 제2형 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나의 단계는 상기 플라스마 장치에 아르곤 기체 또는 헬륨 기체: 반응 기체를 50 내지 500: 1의 비율로 주입하여 형성하는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제3항에서,상기 RF 파워는 50W 내지 200W의 범위로 공급하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제3항에서,상기 제1형 반도체, 진성 반도체, 및 제2형 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 비열식 플라스마에 의한 기상합성법으로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제1항에서,상기 규소 입자의 밴드갭 에너지는 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.