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표면을 갖는 무기물을 준비하는 단계; 및
상기 무기물의 상기 표면에 대한 X-선 조사에 의해 광전자-방출로부터 얻어진 표면 전하로 상기 무기물의 상기 표면을 대전시키는 단계를 포함하고,
상기 X-선 조사는 10 내지 60 keV 범위의 싱크로트론 경 X-선 조사인 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법
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제1항에 있어서, 상기 X-선 조사후 상기 무기물의 상기 표면의 젖음성을 회복하도록 상기 표면으로부터 상기 표면 전하를 방전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법
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제2항에 있어서, 상기 표면 전하를 방전시키는 단계는 탈이온수에 상기 무기물의 표면을 침액하여 수행되는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법
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삭제
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제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 X-선 조사는 다음 관계식에 의해 주어진 표면 포텐셜 V(t)를 유도하는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법:
상기 식에서, t는 X-선 조사 시간이고, V(∞)는 무한대 포텐셜이고, τ는 시간 상수이다
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제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 X-선 조사는 다음 관계식에 의해 주어진 젖음 거동을 유도하는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법:
상기 식에서, θ 및 θ0는 각각 젖음 및 정적 접촉 각이고, t는 X-선 조사 시간이고, εi 및 ε0는 각각 무기물 및 진공의 유전체 유전율이고, d는 무기물의 두께이고, γlv는 X-선 조사 전 액체-증기 표면 장력의 초기 값이다
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제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 젖음성과 상기 X-선 조사 사이 관계는 다음 관계식에 의해 주어지는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법:
상기 식에서, θ는 젖음 접촉각이고, t는 X-선 조사 시간이고, τ는 시간 상수이다
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제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 무기물은 산화물, 황화물, 질화물, 반도체 및 강으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법
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제8항에 있어서, 상기 무기물은 ZnO, p-Si,사파이어, SrTiO3, TiN, ZnS 및 스테인레스강으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법
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제1항에 있어서, 상기 젖음성의 변화는 가역적인 것을 특징으로 하는 무기물의 표면의 젖음성을 개질하기 위한 방법
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