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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170042
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 전자 공여체 및 전자 수용체를 포함하는 광 활성층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 광 활성층 사이에 위치하는 부분 산화된 금속 박막을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 51/441(2013.01) H01L 51/441(2013.01)
출원번호/일자 1020120125683 (2012.11.07)
출원인 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0137514 (2013.12.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120061092   |   2012.06.07
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.22)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 인수강 대한민국 경기 화성
2 조길원 대한민국 경북 포항시 남구
3 최용석 대한민국 경기 수원시 영통구
4 조새벽 대한민국 경북 포항시 남구
5 김흥규 대한민국 경북 포항시
6 심명선 대한민국 경북 포항시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0916310-30
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0116770-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0285206-49
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0090617-32
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0474250-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0815916-14
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0815915-79
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0058672-59
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0164215-70
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.02.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0164216-15
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0128352-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극,상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 전자 공여체 및 전자 수용체를 포함하는 광 활성층, 그리고상기 제1 전극과 상기 광 활성층 사이에 위치하는 부분 산화된 금속 박막을 포함하고,상기 부분 산화된 금속 박막의 일 함수와 상기 제1 전극의 일 함수의 차이는 0
2 2
제1항에서,상기 부분 산화된 금속 박막은 비산화된 금속의 일 함수와 완전 산화된 금속의 일 함수 사이의 일 함수를 가지는 태양 전지
3 3
삭제
4 4
제1항에서,상기 부분 산화된 금속 박막의 일 함수와 상기 제1 전극의 일 함수의 차이는 0
5 5
제1항 또는 제4항에서,상기 전자 공여체는 5
6 6
제1항에서,상기 부분 산화된 금속은 5
7 7
제1항에서,상기 부분 산화된 금속은 5
8 8
제1항에서,상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 금속은 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 이리듐(Ir), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 로듐(Rh) 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지
9 9
제1항에서,상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 금속은 티타늄(Ti), 아연(Zn), 실리콘(Si) 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지
10 10
제1항에서,상기 부분 산화된 금속 박막은 10nm 이하의 두께를 가지는 태양 전지
11 11
제1 전극을 형성하는 단계,금속 박막을 형성하는 단계,상기 금속 박막을 일부 산화시켜 부분 산화된 금속 박막을 형성하는 단계,전자 공여체 및 전자 수용체를 포함하는 광 활성층을 형성하는 단계, 그리고제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부분 산화된 금속 박막의 일 함수와 상기 제1 전극의 일 함수의 차이는 0
12 12
제11항에서, 상기 금속 박막을 일부 산화시키는 단계는 200℃ 내지 600℃에서 산소 함유 기체를 공급하여 어닐링하는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제12항에서,상기 금속 박막을 일부 산화시키는 단계는 산소 기체(O2) 및 오존 기체(O3) 중 적어도 하나를 10 내지 200sccm 유량으로 공급하여 1분 내지 30분 동안 어닐링하는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제11항에서,상기 부분 산화된 금속 박막은 비산화된 금속 박막의 일 함수와 완전 산화된 금속의 일 함수 사이의 일 함수를 가지는 태양 전지의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제11항에서,상기 부분 산화된 금속은 5
17 17
제11항에서,상기 전자 공여체는 5
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09472693 US 미국 FAMILY
2 US20130327388 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.