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수분산성 및 안정성이 우수한 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170047
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 수 분산성 및 안정성을 갖는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐은 표면 개질되어 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 표면 개질된 고분자 캡슐; 및 표면 개질된 고분자 캡슐의 표면에 로딩된 전이금속 입자;를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 제조방법은 a) 고분자 캡슐을 제조하는 단계; b) 고분자 캡슐을 표면 개질하여, 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 고분자 캡슐을 제조하는 단계; 및 c) b) 단계에서 수득되는 표면 개질된 고분자 캡슐의 수분산액에 수용성 전이금속 전구체 및 환원제를 순차적으로 투입하는 단계;를 포함한다.
Int. CL C08J 7/12 (2006.01) B01J 13/14 (2006.01) B01J 37/16 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) C08J 7/04 (2006.01) B01J 13/02 (2006.01)
CPC B01J 13/14(2013.01) B01J 13/14(2013.01) B01J 13/14(2013.01) B01J 13/14(2013.01) B01J 13/14(2013.01)
출원번호/일자 1020150053065 (2015.04.15)
출원인 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0119813 (2015.10.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140045394   |   2014.04.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.15)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 윤경원 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 하산 자히드 파키스탄 경상북도 포항시 남구
4 이지영 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 김지홍 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 김남훈 대한민국 경상북도 포항시 남구
7 백강균 대한민국 경상북도 포항시 남구
8 황일하 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0366614-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0836972-75
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0074917-00
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0074887-17
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0380516-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 화합물 및 하기 화학식 2의 화합물을 공중합하여 수득되며, 표면 개질되어 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 표면 개질된 고분자 캡슐; 및 상기 표면 개질된 고분자 캡슐의 표면에 로딩된 전이금속 입자;를 포함하는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐
2 2
제 1항에 있어서,상기 표면 개질된 고분자 캡슐은 60 내지 90㎷의 제타 전위를 갖는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐
3 3
제 1항에 있어서,상기 표면 개질된 고분자 캡슐은 표면에 설포늄기가 형성된 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐
4 4
제 1항에 있어서,상기 전이금속 입자의 평균 직경은 1
5 5
제 1항에 있어서,상기 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐은 고분자 캡슐 100 중량부에 대하여, 0
6 6
a) 하기 화학식 1의 화합물 및 하기 화학식 2의 화합물을 공중합하여 고분자 캡슐을 제조하는 단계;b) 상기 고분자 캡슐을 표면 개질하여, 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는 표면 개질된 고분자 캡슐을 제조하는 단계; 및 c) b) 단계에서 수득되는 표면 개질된 고분자 캡슐의 수분산액에 수용성 전이금속 전구체 및 환원제를 순차적으로 투입하는 단계;를 포함하는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 표면 개질된 고분자 캡슐은 60 내지 90㎷의 제타 전위를 갖는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 수용성 전이금속전구체는 알칼리금속-전이금속 할로겐화물인 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 수용성 전이금속 전구체는 상기 a) 단계에서의 화학식 1에 따른 화합물의 총 몰수를 기준으로, 1배 내지 4배가 투입되는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
10 10
제 6항에 있어서,상기 a) 단계에서 화학식 1의 화합물 : 화학식 2의 화합물의 몰비는 1 : 40 내지 60인 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
11 11
제 6항에 있어서,상기 b) 단계는,b1) 알코올에 고분자 캡슐이 분산된 분산액에 할로겐화알킬인 표면개질제를 투입하고 정치하는 단계; 및b2) 투석을 이용한 정제를 통해 표면 개질된 고분자 캡슐 수분산액을 수득하는 단계;를 포함하는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 표면개질제는 a) 단계에서의 화학식 1에 따른 화합물의 총 몰수를 기준으로, 400 내지 600배가 투입되는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
13 13
제 6항에 있어서,상기 b) 단계의 표면 개질은 할로겐화알킬에 의해 이루어지는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 표면 개질에 의해 상기 고분자 캡슐 표면에는 설포늄기가 형성되는 전이금속 입자가 로딩된 고분자 캡슐의 제조방법
15 15
제 6항에 있어서,상기 c) 단계에서 고분자 캡슐 표면에 형성된 전이금속 나노입자의 평균 직경은 1
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09707548 US 미국 FAMILY
2 US10543477 US 미국 FAMILY
3 US20170028389 US 미국 FAMILY
4 US20170320045 US 미국 FAMILY
5 WO2015160194 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10543477 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017028389 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2017320045 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9707548 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.