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유기 태양전지의 기판 상부에 구비되는 박막봉지 유닛으로서,상기 기판 상에 위치하며, 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 어느 하나로 구성된 제1 박막; 상기 제1 박막 상에 위치하며, 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 다른 하나로 구성된 제2 박막;상기 제2 박막 상에 위치하며, 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 어느 하나로 구성된 제3 박막; 상기 제3 박막 상에 위치하며, 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 다른 하나로 구성된 제4 박막; 및상기 제4 박막 상에 위치하며, 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 어느 하나로 구성된 제5 박막;을 포함하고,상기 제1 박막의 두께가 유효 흡수 파장(λ)에 대하여 λ/8n(여기에서, n은 박막의 굴절률)이고, 상기 제2 박막 및 상기 제3 박막의 두께가 λ/4n이며, 상기 제4 박막 및 상기 제5 박막의 두께가 λ/8n가 되도록 조절하여,고주파 통과 필터(high-pass filter) 구조 또는 저주파 통과 필터(low-pass filter) 구조를 갖도록 형성된 박막봉지 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판, 유리 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 고굴절률 물질은 무기물 또는 유기물인 박막봉지 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 저굴절률 물질은 무기물 또는 유기물인 박막봉지 유닛
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 무기물은Al2O3, SiO2, B2O5, TiO2, SnO2, ZnO, In2O3, ZrO2, GeO2, 또는 AlSiOx을 포함하는 금속산화물; AlN, Si3N4, TiN, ZrN, 또는 BN을 포함하는 금속질화물; AlON, SiON 또는 AlSiON을 포함하는 금속산질화물; 및InSnO, SiZnO, InZnO 또는 InGaZnO을 포함하는 산화물로 이루어진 군; 중에서 선택된 1종 이상인 박막봉지 유닛
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 유기물은 에폭시(epoxy); 실리콘(silicone); 아크릴 수지(acrylic resin); 폴리우레탄(polyurethane); 파릴렌(parylene); 및 -N(질소), -C(탄소), -D(중수소), 또는 -HT(삼중수소)를 포함하는 군; 중에서 선택된 1종 이상인 박막봉지 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 고굴절률 물질로 구성된 제1 또는 제2박막의 두께는 100nm 내지 1,000nm인 박막봉지 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 저굴절률 물질로 구성된 제1 또는 제2박막의 두께는 200nm 내지 1,000nm인 박막봉지 유닛
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제 1 항에 있어서,투습도가 10-5g/m2/day 이하이고, 광 투과도가 90% 이상인 박막봉지 유닛
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유기 태양전지의 기판 상부에 형성되는 박막봉지 유닛의 제조 방법으로서,상기 기판 상에 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 어느 하나로 구성된 제1 박막을 유효 흡수 파장(λ)의 λ/8n(여기에서, n은 박막의 굴절률)의 두께로 형성하는 단계;상기 제1 박막 상에 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 다른 하나로 구성된 제2 박막 및 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 상기 어느 하나로 구성된 제3 박막을 유효 흡수 파장(λ)의 λ/4n의 두께로 형성하는 단계; 및상기 제3 박막 상에 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 상기 다른 하나로 구성된 제4 박막 및 고굴절률 물질 및 저굴절률 물질 중 상기 어느 하나로 구성된 제5 박막을 유효 흡수 파장(λ)의 λ/8n의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 박막봉지 유닛의 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 고굴절률 물질은 무기물 또는 유기물인 박막봉지 유닛의 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 저굴절률 물질은 무기물 또는 유기물인 박막봉지 유닛의 제조 방법
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제 17 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 무기물로 구성된 제1 또는 제2박막은 스퍼터링 증착법, 전자선 증착법, 열 증착법, 원자층 증착법(ALD), 플라즈마 강화 화학증착법(PECVD), 펄스레이저증착법(PLD), 또는 이온빔증착법(IBD)에 의해 형성된 박막봉지 유닛의 제조 방법
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제 17 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 무기물로 구성된 제1 또는 제2박막은 상호-스퍼터링(co-sputtering), 상호-펄스레이저증착법(co-PLD), 또는 상호-이온빔증착법(co-IBD)을 포함하는 공석(co-deposition) 공정으로 형성된 박막봉지 유닛의 제조 방법
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제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,상기 유기물로 구성된 제1 또는 제2박막은 기상 증착, 열 증착, 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 닥터 블레이딩, 또는 고분자 중합 반응에 의해 형성된 구조 박막봉지 유닛의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,투습도가 10-5g/m2/day 이하이고, 광 투과도가 90% 이상인 박막봉지 유닛의 제조 방법
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