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나노막대를 포함하는 나노디바이스 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170074
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노막대를 포함하는 나노디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다. 나노디바이스는, i) 기판, ii) 기판 위에 위치하며, 상호 각을 이루는 복수의 측면들을 포함하는 하나 이상의 결정, 및 iii) 결정 위에 위치하고, 기판의 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 뻗은 하나 이상의 나노막대를 포함한다. 나노막대, 나노디바이스, 결정, 선택 성장
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070092187 (2007.09.11)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0972842-0000 (2010.07.22)
공개번호/일자 10-2009-0027026 (2009.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20100728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.11)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍영준 대한민국 경기 용인시 수지구
2 이규철 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0659025-53
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0660232-22
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0660233-78
4 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2007.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0730054-77
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.29 수리 (Accepted) 9-1-2009-0006294-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0178881-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0360772-86
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0360773-21
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0449932-40
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0815703-96
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0815707-78
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0182867-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 위에 위치하며, 상호 각을 이루는 복수의 측면들을 포함하는 하나 이상의 결정, 및 상기 결정 위에 위치하고, 상기 기판의 판면에 수직인 방향으로 뻗은 하나 이상의 나노막대 를 포함하는 나노디바이스
2 2
제1항에 있어서, 상기 결정을 상기 기판의 판면에 평행인 방향으로 자른 단면적은 상기 나노막대측으로 갈수록 작아지는 나노디바이스
3 3
제2항에 있어서, 상기 결정을 상기 기판의 판면에 평행인 방향으로 자른 단면적의 평균치는 상기 나노막대를 상기 기판의 판면에 평행인 방향으로 자른 단면적 이상인 나노디바이스
4 4
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 결정은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들은 상호 이격된 나노디바이스
5 5
제4항에 있어서, 상기 복수의 결정들은 일방향으로 배열되고, 상기 복수의 결정들 중 상기 일방향을 따라 상호 이웃하는 결정들간의 거리는 동일한 나노디바이스
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판 및 상기 결정 사이에 위치하는 씨드층을 더 포함하고, 상기 씨드층 및 상기 결정은 상호 동일한 소재를 포함하는 나노디바이스
7 7
제6항에 있어서, 상기 결정은 상기 씨드층으로부터 성장한 나노디바이스
8 8
제6항에 있어서, 상기 씨드층을 덮는 마스크층을 더 포함하고, 상기 마스크층은 복수의 개구부들을 가지며, 상기 결정은 상기 개구부들을 덮어서 형성된 나노디바이스
9 9
제1항에 있어서, 상기 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면은 경사면인 나노디바이스
10 10
제9항에 있어서, 상기 결정의 형태는 각뿔대 또는 각뿔인 나노디바이스
11 11
제9항에 있어서, 상기 경사면은 상기 판면과 10° 내지 90°를 이루는 나노디바이스
12 12
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 상기 결정의 중심축을 따라 뻗은 나노디바이스
13 13
제1항에 있어서, 상기 복수의 측면들 중 상호 이웃하는 측면들이 만나서 이루는 각들은 동일한 나노디바이스
14 14
제1항에 있어서, 상기 복수의 측면들은 상기 판면에 수직인 방향으로 뻗고, 상기 결정은 상기 복수의 측면들과 이웃하며 상기 판면에 평행인 상면을 포함하는 나노디바이스
15 15
제14항에 있어서, 상기 하나 이상의 나노막대들은 복수의 나노막대들을 포함하고, 상기 복수의 나노막대들은 상기 상면 위에 형성된 나노디바이스
16 16
제1항에 있어서, 상기 측면은 3개 내지 12개인 나노디바이스
17 17
제1항에 있어서, 상기 결정의 성장 방향과 상기 나노막대의 성장 방향은 동일한 나노디바이스
18 18
제1항에 있어서, 상기 나노디바이스는 발광 소자, 전자 방출 소자, 또는 다이오드 또는 트랜지스터로서 사용되는 나노디바이스
19 19
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 산화아연(ZnO), 산화아연마그네슘(MgZnO), 산화아연 마그네슘카드뮴(CdZnO), 산화아연베릴륨(ZnBeO), 및 산화아연마그네슘베릴륨 (ZnMgBeO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 나노디바이스
20 20
제1항에 있어서, 상기 결정은 실리콘, 산화알루미늄, 비소화갈륨, 스피넬, 실리콘, 인화인듐, 인화갈륨, 인화알루미늄, 질화갈륨, 질화인듐, 질화알루미늄, 산화아연, 산화마그네슘, 실리콘카바이드, 및 산화티타늄으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 나노디바이스
21 21
기판을 제공하는 단계, 상기 기판 위에 상호 각을 이루는 복수의 측면들을 포함하는 하나 이상의 결정을 제공하는 단계, 및 상기 결정 위에 상기 기판의 판면에 수직인 방향으로 뻗은 하나 이상의 나노막대를 제공하는 단계 를 포함하는 나노디바이스의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 기판 위에 씨드층을 제공하는 단계, 상기 씨드층 위에 마스크층을 제공하는 단계, 및 상기 마스크층에 복수의 개구부들을 형성하는 단계 를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 결정을 제공하는 단계에서, 상기 결정은 상기 개구부를 덮으면서 상기 씨드층 위에 제공되는 나노디바이스의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 하나 이상의 결정을 제공하는 단계에서, 상기 결정은 상기 씨드층으로부터 상기 개구부를 관통하여 성장한 나노디바이스의 제조 방법
24 24
제21항에 있어서, 상기 나노막대를 제공하는 단계에서, 상기 나노막대의 성장 방향은 상기 결정의 성장 방향과 동일한 나노디바이스의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08003192 US 미국 FAMILY
2 US20090068411 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009068411 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8003192 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.