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열처리 공정 없는 플라스마 원자층 증착법을 이용한 금속실리사이드 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170076
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라스마 원자층 박막 증착 방법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PE-ALD)을 사용하여 반도체 소자의 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트를 열처리 없이 직접 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 자연 산화막(native oxide)을 제거한 반도체 기판 위에, 금속 전구체(metal precursor)와 암모니아 플라스마를 반응물로 사용하는 공정을 기본으로 사용하고, 실리콘 전구체로서 실란(SiH4) 가스를 부가적으로 첨부시켜 금속 실리사이드 박막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 기존의 공정과 다르게 열처리 공정을 배제한 증착 방법이므로, 실리사이드 형성시에 실리콘 기판 소비 문제를 근본적으로 해결할 수 있을 뿐 아니라, PE-ALD 공정의 장점인 높은 단차 피복성(step coverage)의 장점을 활용할 수 있어, 향후 나노스케일 소자 제작시에 큰 장점을 지닌 공정으로 사용될 수 있다. 원자층 박막 증착 방법, 실리사이드, 반도체 소자 전극, 암모니아 플라스마
Int. CL H01L 21/20 (2011.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020070098812 (2007.10.01)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0920455-0000 (2009.09.29)
공개번호/일자 10-2009-0033665 (2009.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20091008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한보람 대한민국 서울 강서구
2 손종역 대한민국 부산 해운대구
3 김형준 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0706889-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051030-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0113643-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0296018-43
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0296028-00
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0386090-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
PE-ALD법을 이용하여 코발트 실리사이드 박막을 제조하는 방법으로서, (a) 소정의 온도로 가열된 반도체 기판상에 CoCp2를 투입하여 흡착시키는 단계와, (b) 퍼징 가스를 통해 흡착되지 않은 CoCp2를 제거하는 단계와, (c) 상기 CoCp2를 환원시키는 환원가스 플라스마와 SiH4의 혼합물을 투입한는 단계와, (d) 퍼징 가스를 통해 잔존하는 상기 혼합물을 제거하는 단계로 이루어진 사이클의 반복에 의해 코발트 실리사이드 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
삭제
3 3
PE-ALD법을 이용하여 코발트 실리사이드 박막을 제조하는 방법으로서, (a) 소정의 온도로 가열된 반도체 기판상에 CoCp2를 투입하여 흡착시키는 단계와, (b) 퍼징 가스를 통해 흡착되지 않은 CoCp2를 제거하는 단계와, (c) 환원가스 플라스마를 투입하여 상기 CoCp2를 환원시키는 단계와, (d) 퍼징 가스를 통해 상기 환원가스 플라스마를 제거하는 단계와, (e) SiH4을 투입하여 환원된 코발트와 반응시키는 단계와, (f) 퍼징 가스를 통해 반응되지 않은 SiH4을 제거하는 단계로 이루어진 사이클의 반복에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 방법
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삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 환원가스 플라스마는 암모니아 플라스마인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항, 제 3 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 코발트 실리사이드 박막을 포함하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.