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표면유도 자기조립에 의한 단결정 공액고분자 나노구조체의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170079
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면유도 자기조립에 의해 성장된 단결정 공액고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로서, i) (a) 폴리(3-헥실싸이오펜)을 유기용매에 60℃ - 70℃에서 녹인 후, 25℃ - 40℃까지 용액의 온도를 급강(quenching)시키고, (b) 상기 (a)에서 얻은 용액을 그 온도에서 1시간 이상 유지시킨 다음, 5℃ - 15℃까지 급냉시킨 후 10시간 내지 12시간 동안 교반시켜 자기기핵형 공액고분자 용액을 얻는 단계, 및 ii) 자기기핵형 공액고분자 용액을 소수성을 나타내는 초분자가 코팅된-나노템플레이트에 도포하여 표면유도 자기조립에 의해 나노구조체를 성장시키는 단계를 포함하는 본 발명의 방법에 따라 성장된 단결정 공액고분자 나노구조체는 선택적인 표면유도에 의한 자기조립과정으로 인해 대면적에 걸쳐 규칙적인 배열 형성이 가능하고, 낮은 전기 저항과 우수한 전계효과를 제공하여, 고성능, 고집적화된 초분자 트랜지스터, 초분자 발광소자 및 초분자 바이오센서 등의 차세대 초분자 유기전자소자에 유용하게 적용될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C08J 5/005(2013.01) C08J 5/005(2013.01) C08J 5/005(2013.01) C08J 5/005(2013.01)
출원번호/일자 1020060078746 (2006.08.21)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0840499-0000 (2008.06.16)
공개번호/일자 10-2008-0017563 (2008.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20080623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조길원 대한민국 경북 포항시 남구
2 김도환 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0592699-66
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2006.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-5066206-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0021773-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0413136-67
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0699562-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0052444-36
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0225858-91
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0225874-11
11 등록결정서
Decision to grant
2008.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0301987-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
i) (a) 폴리(3-헥실싸이오펜)을 유기용매에 60℃ - 70℃에서 녹인 후, 생성 용액을 25℃ - 40℃까지 급냉(quenching)시키고, (b) 상기 (a)에서 얻은 용액을 5℃ - 15℃까지 급냉시킨 후 교반시켜 자기기핵형 공액고분자 용액을 얻는 단계, 및 ii) 상기 자기기핵형 공액고분자 용액을 소수성 초분자 코팅된-나노템플레이트에 도포하여 상기 폴리(3-헥실싸이오펜)을 표면유도 자기조립에 의해 성장시키는 단계를 포함하는, 단결정 폴리(3-헥실싸이오펜) 구조체의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 자기기핵형 공액고분자 용액 중의 폴리(3-헥실싸이오펜)의 농도가 0
3 3
제1항에 있어서, 유기용매가 클로로포름, 톨루엔, 또는 자일렌인 것을 특징으로 하는, 단결정 폴리(3-헥실싸이오펜) 구조체의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 소수성 초분자가 옥타데실트라이클로로실란(ODTS), 도데실트라이클로로실란(DDTS) 또는 헥사데실트라이클로로실란(HDTS)임을 특징으로 하는, 단결정 폴리(3-헥실싸이오펜) 구조체의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 단계 ii)에서, 도포시 템플레이트 온도가 10℃ 내지 50℃ 인 것을 특징으로 하는, 단결정 폴리(3-헥실싸이오펜) 구조체의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,단계 ii)가 Ar 분위기 하의 밀폐된 장치내에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 단결정 폴리(3-헥실싸이오펜) 구조체의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07892355 US 미국 FAMILY
2 US20080041300 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008041300 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7892355 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.