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(a) 기판을 챔버내에 장입하는 단계;(b) 상기 기판상에 산화아연 나노막대들을 성장시키는 단계;(c) 상기 산화아연 나노막대에 산소를 공급하는 단계;(d) 상기 산화아연 나노막대상에 산화아연층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 Glss, GaAs, Quartz, LiNbO3, LiTaO3, Si, SiC, SiO2, ZnO, MgZnO, 사파이어, 금속층 및 GaN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계(b)는 300℃ 내지 700℃ 의 온도, 0
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제1항에 있어서, 상기 단계(b)는 300℃ 내지 700℃ 의 온도, 0
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제1항에 있어서, 상기 단계(b)는 300℃ 내지 700℃ 의 온도, 0
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제1항에 있어서, 상기 단계(b)는 기화된 DEZn를 0
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7
제1항에 있어서, 상기 단계(b)는 20분 내지 3시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계(b) 후에 상기 성장된 산화아연 나노막대를 상온 내지 200℃ 의 온도로 냉각시키는 냉각단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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9
제1항에 있어서, 상기 단계(c)는 300℃ 내지 700℃ 의 온도, 2 Torr 내지 10 Torr의 압력하에서 산소기체만을 단독으로 상기 챔버내에 공급하여 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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10
제1항에 있어서, 상기 단계(d)는 300℃ 내지 700℃ 의 온도, 2 Torr 내지 6 Torr의 압력하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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11
제1항에 있어서, 상기 단계(d)는 300℃ 내지 700℃ 의 온도, 2
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제1항에 있어서, 상기 단계(d)는 상기 산화아연 나노막대 각각의 상단부에 버드(bud)형태의 초기 산화아연층 시드가 발생한 후 이 각각의 버드 형태가 수직 및 수평 성장을 계속하여 상기 산화아연층을 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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13
제1항에 있어서, 상기 단계(d) 후에 상기 산화아연층 상부에 반도체층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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14
제1항에 있어서, 상기 단계(d) 후에 상기 산화아연 나노막대와 상기 기판을 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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15
제14항에 있어서, 상기 기판과 분리된 산화아연 나노막대를 본체로 한 어레이 소자를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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16
제15항에 있어서, 상기 산화아연층의 나노막대가 형성된 면의 반대면에 금속층 및 반도체층 중 적어도 어느 한 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체 제조방법
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17
산화아연층;상기 산화아연층의 어느 한 면에 일체형으로 수직하게 결합된 다수 개의 산화아연 나노막대;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체
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18
산화아연층;상기 산화아연층의 어느 한 면에 일체형으로 수직하게 결합된 다수 개의 산화아연 나노막대;상기 다수 개의 산화아연 나노막대를 본체로 형성된 어레이 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체
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제18항에 있어서, 상기 어레이 소자는 센서 어레이 소자인 것을 특징으로 하는 산화아연체
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제18항에 있어서, 상기 산화아연층의 나노막대가 형성된 면의 반대면에 형성된 금속층 및 반도체층 중 어느 한 층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연체
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반도체 소자에 있어서,산화아연층;상기 산화아연층의 어느 한 면에 일체형으로 수직하게 결합된 다수 개의 산화아연 나노막대; 를 포함하는 것으로서,수광소자, 발광소자, 태양전지, 메모리 소자, FET, SAW(Surface Acoustic Wave) 응용소자, 통신용 필터소자, FED(Field Emission Device), 센서소자, 강유전체 소자, 강자성 소자 중 어느 한 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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