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균일한 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170113
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 균일하게 성장된 껍질을 가진 고품질의 핵/껍질 구조 나노결정의 제조방법 및 물성 조절 방법에 관한 것으로, 열역학적 성장 조건에서 섬아연석 또는 암염 등의 면심입방 구조 결정상의 등방성 나노결정을 합성하여 동일한 반응성의 결정면이 표면에 고르게 분포된 핵을 제조하고, 그 표면에 적층형 껍질 성장을 유도하여 핵 표면에 균일하게 껍질이 성장된 핵/껍질 구조 나노결정을 제조하는 방법, 및 각 층의 조성을 조절하여 핵/껍질 나노결정의 물성을 조절하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01) C09K 11/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080071392 (2008.07.22)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0010424 (2010.02.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신승구 미국 경상북도 포항시 남구
2 임성준 대한민국 부산광역시 금정구
3 김용욱 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김선장 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(대치동) 삼성대세빌딩 *층(주식회사젠센)
3 김애라 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (역삼동, 한신인터밸리**) 서관 ***호(테라아이피씨특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0527374-00
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2008.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-5037981-27
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0012177-25
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0022114-03
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0325829-95
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541114-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노결정 전구체 용액의 온도를 상승시키면서 결정의 핵화 (nucleation) 및 성장을 유도하는, 핵 나노결정의 성장 단계; 및 상기 핵 나노결정의 표면에 껍질 전구체 용액의 적하 및 어닐링 과정을 1회 이상 반복하여 껍질을 성장시키는, 껍질 결정의 성장 단계 를 포함하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 핵 나노결정의 결정상이 단순 입방, 체심 입방, 면심 입방 또는 삼방정계 구조인, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 면심 입방 구조가 섬아연석 구조 또는 암염 구조인, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 핵 나노결정이 유기 캡핑된 리간드 분자에 의해 둘러싸인 콜로이드성 무기 결정임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 콜로이드성 무기 결정이 도핑되거나 도핑되지 않은 단층 또는 다층 구조의 입자임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 콜로이드성 무기 결정이 원소 주기율표 II족-VI족 반도체, III족-V족 반도체, IV-VI족 반도체 및 IV족 반도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 유기 캡핑된 리간드 분자가 포화 또는 불포화 탄소 사슬의 지방산, 지방 아민, 인산, 포스파인, 포스파인 옥사이드, 포스폰산, 포스핀산, 티올 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 양친매성 (amphiphilic) 물질임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 껍질 전구체가 원소 주기율표 II족, III족 및 IV족 금속, 금속 산화물, 금속염, 포화 또는 불포화 탄소 사슬의 지방산 염 및 포스폰산 염, 금속 염화물, 금속 아세트화물, 금속 질산화물, 금속 카르보닐화물, 금속 티올레이트, 트리메틸실릴기가 결합되거나 결합되지 않은 V족 및 VI족 원소, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 껍질 전구체가 아연, 카드뮴, 수은, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 규소, 게르마늄, 주석, 티타늄, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 은, 백금, 금 및 이들의 산화물, 염화물, 아세트화물, 질산화물, 카르보닐화물 및 티올레이트; 포화 또는 불포화 탄소 사슬의 지방산 염 및 포스폰산 염; 비스(트리메틸실릴)-설파이드; 비스(트리메틸실릴)-셀레나이드; 비스(트리메틸실릴)-텔루라이드; 비스(트리메틸실릴)-포스파이드; 비스(트리메틸실릴)-알세나이드; 원소 황(elemental sulfur); 셀레늄; 텔루르인; 및 비소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 껍질 결정을 성장시키는 단계가, 핵 나노결정 표면에 하나의 단층 또는 하나 미만의 부분 단층 껍질을 성장시킬 수 있는 양의 껍질 전구체 용액을 적하한 후 5 내지 30분 동안 어닐링하여 껍질 한 층을 성장시키고, 상기 과정을 1회 이상 반복하여 껍질을 적층형으로 성장시키는 것임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 부분 단층 껍질의 성장 과정에서, 각 부분 단층 성장에 서로 다른 조성의 전구체를 넣어 헤테로 구조의 단층을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 2종 이상의 전구체 혼합 용액을 적하하여 합금 구조의 단층을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 부분 단층 성장에 전구체 혼합액을 이용하여 합금 구조가 포함된 헤테로 구조의 단층을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
14 14
제 1 항에 있어서, 나노결정 전구체 용액 및 껍질 전구체 용액에 사용되는 용매가 트리옥틸포스파인 옥사이드, 트리부틸포스파인 옥사이드, 트리옥틸포스파인, 트리부틸포스파인, C6-18 알킬포스폰산, C6-18 알킬포스핀산, 1차 C6-18 포화 또는 불포화 지방아민, 2차 C6-18 포화 또는 불포화 지방아민, 3차 C6-18 포화 또는 불포화 지방아민, C6-18 포화 또는 불포화 지방알콜, C6-18 알칸티올, C6-18 포화 또는 불포화 지방산, C6-18 알칸 및 C6-18 알켄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 나노결정 전구체가 금속 지방산 염임을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 금속 지방산 염을 이용하여 나노결정을 합성한 후, 과량의 금속 지방산 염을 제거하기 위해 1차 아민을 섞고 극성 용매로 추출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 1차 아민으로 C3-8 알킬아민을 이용하는 것을 특징으로 하는, 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.