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Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법에 있어서, (1) Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정을 용매에 용해시켜 용액을 형성하는 단계; 및(2) 상기 용액에 3차 포스핀과 1차 아민을 첨가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물 반도체 나노결정은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe을 포함하는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe을 포함하는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe을 포함하는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (1) 단계에서, 상기 용매는 C6-C18 알칸, C6-C18 알켄 및 클로로포름, 메틸렌클로라이드 및 사염화탄소를 포함한 할로겐화알칸으로 이루어진 군으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 3차 포스핀의 탄소 가지(carbon branch)는 C3-C12 알칸, C3-C12 알켄, C3-C12 포화 지방아민, C3-C12 불포화 지방아민, C3-C12 포화 지방알콜, C3-C12 불포화 지방알콜, C3-C12 포화 지방산, C3-C12 불포화 지방산, C3-C12 포화 지방티올, C3-C12 불포화 지방티올, 페닐(C6H6) 및 벤질(C6H5CH2)로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 3차 포스핀이 3차 포스핀 올리고머 및 3차 포스핀 폴리머 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 아민은 C1-C18 포화 지방아민 또는 C1-C18 불포화 지방아민인 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 아민은 1차 아민 작용기를 가지는 올리고머 및 1차 아민 작용기를 가지는 폴리머 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (1) 단계 및 (2) 단계 사이에, 상기 정제된 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정을 3차 포스핀과 1차 아민 혼합 용액 속에서 50~150℃에서 1~10 시간 동안 어닐링후 정제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리 방법
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