맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2015170124
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체에 건식 에칭 방법을 이용하여 반도체 표면에 홀 형태의 광결정을 형성한 후, 임프린트 레진(resin)과 나노 임프린트 방법을 이용하여 표면에 피라미드 형태의 패턴을 전사하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 반도체 표면에 존재하는 광결정의 효과와 임프린트 레진 표면에 존재하는 피라미드 패턴의 효과로 광추출 효율을 획기적으로 증가실킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01)H01L 33/22(2013.01)H01L 33/22(2013.01)H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110061606 (2011.06.24)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1221075-0000 (2013.01.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.24)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손준호 대한민국 경상북도 경산시
3 김범준 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0482595-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0055883-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0494488-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0765010-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0765009-04
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0797699-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 순차적으로 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 적층되어 형성된 발광 다이오드의 제조방법으로서,(a) 상기 제2 반도체층 상에 다수의 홀을 형성하는 단계;(b) 상기 다수의 홀이 형성된 제2 반도체층에 임프린트 레진을 도포하는 단계; 및(c) 표면에 나노 구조물의 패턴이 형성된 나노 임프린트를 사용하여 상기 임프린트 레진 상에 상기 나노 임프린트 상에 형성된 패턴을 전사하는 단계;를 포함하는 방법
2 2
기판상에 순차적으로 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 적층되어 형성된 발광 다이오드의 제조방법으로서,(a) 상기 제2 반도체층 상에 다수의 홀을 형성하는 단계;(b) 상기 다수의 홀에 고분자 물질을 채우는 단계;(c) 상기 고분자 물질이 채워진 제2 반도체층 상에 임프린트 레진을 도포하는 단계; 및(d) 표면에 나노 구조물의 패턴이 형성된 나노 임프린트를 사용하여 상기 임프린트 레진 상에 상기 나노 임프린트 상에 형성된 패턴을 전사하는 단계;를 포함하는 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 임프린트 레진의 도포는, 굴절률이 상이한 2종 이상의 임프린트 레진을 적층하여 도포하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 (a) 단계는, 상기 제2 반도체층에 패턴화된 마스킹을 하는 단계와, 건식식각을 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 마스킹은 건식식각 보호 산화막을 형성을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 건식식각 보호 산화막은 MgOx, AlOx, SiOx, GaOx, TiOx 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 임프린트 레진의 굴절률은 1 ~ 2
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 임프린트상의 나노 구조물 패턴은 피라미드 형태의 패턴인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 2 항에 있어서,상기 고분자 물질의 굴절률이 임프린트 레진(resin)의 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제2 반도체층 전면에 투명전극을 증착하는 단계를 포함하는 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 투명전극은 ITO, ZnO, AZO, IZO, 그래핀 또는 금속박막 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 투명전극의 두께가 1 nm ~ 1000 nm인 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 3 항에 있어서,상기 2종 이상의 임프린트 레진은 굴절률이 큰 물질에서 작은 물질 순서로 도포하는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
기판상에 순차적으로 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 적층되어 형성된 발광 다이오드로서, 상기 제2 반도체층 상에 다수의 홀이 형성되어 있고, 상기 다수의 홀을 채우면서 제2 반도체층 상에 도포된 임프린트 레진층이 형성되어 있으며, 상기 임프린트 레진층의 표면에는 임프린트 전사공정을 통해 나노 구조물의 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 다수의 홀에는 상기 임프린트 레진층에 비해 굴절률이 낮은 폴리머가 채워져 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
16 16
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 제2 반도체층과 임프린트 레진층의 사이에 투명전극층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
17 17
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 임프린트 레진층은 굴절률이 상이한 다층 구조를 이루며, 상기 임프린트 레진층의 굴절률은 상기 제2 반도체층 표면에 가까울수록 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
18 18
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 임프린트 레진 상의 나노 구조물은 피라미드 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발