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게이트 전극; 상기 게이트 전극의 일측 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 배치된 채널 영역을 포함하는 전계 효과 트랜지스터로서, 상기 채널 영역이 알코올과 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 화합물이 흡착되어 있는 탄소 나노 튜브로 이루어진 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 단일벽 나노튜브인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브가 화학기상증착법(CVD), 레이저 어블레이션법(laser ablation), 전기방전법(arc-discharge), 플라즈마화학기상증착법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 열화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 기상합성법 (vapor phase growth), 전기분해법(electrolysis) 및 플레임 합성법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 알코올과 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 화합물이 자기 조립 나노클러스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 알코올과 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 화합물이 아미노산인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 아미노산이 글리신인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극이 실리콘, 게르마늄 또는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 절연층이 실리콘 디옥사이드 또는 실리콘 니트라이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 알코올 센서
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제9항의 알코올 센서를 이용하는 알코올 검출 방법으로서,상기 방법이 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 일측 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 배치된 채널 영역을 포함하는 트랜지스터로서, 상기 채널 영역이 알코올과 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 화합물이 흡착되어 있는 탄소 나노 튜브로 이루어진 전계 효과 트랜지스터에 알코올을 노출시키는 단계;상기 알코올과 상기 채널 영역에 흡착된, 알코올과 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 화합물의 결합의 결과로 상기 채널 영역에 흐르는 전류 값을 측정하는 단계; 및상기 측정된 전류 값의 변화를 근거로 하여 상기 알코올을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알코올 검출 방법
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제10항에 있어서, 상기 알코올과 수소 결합을 형성할 수 있는 작용기를 갖는 화합물이 아미노산인 것을 특징으로 하는 알코올 검출 방법
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제12항에 있어서, 상기 아미노산이 글리신인 것을 특징으로 하는 알코올 검출 방법
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