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탄소 박막을 포함한 전자 소자 및 탄소 박막을 포함한 전기화학 소자

  • 기술번호 : KST2015170131
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소 박막 제조 방법, 탄소 박막을 포함한 전자 소자 및 탄소 박막을 포함한 전기화학 소자가 제공된다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01M 10/052 (2010.01) C01B 31/04 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01)
출원번호/일자 1020120153712 (2012.12.26)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1407175-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2013-0007528 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자 (20140613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0050843 (2011.05.27)
관련 출원번호 1020110050843
심사청구여부/일자 Y (2012.12.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1079982-69
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0158677-82
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0401260-45
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0506044-74
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0607317-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0607328-26
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0784114-61
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0035675-83
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0144721-19
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0144731-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
14 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0338776-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
콜타르 또는 콜타르 피치가 포함된 전구체막에 대한 열처리를 통해 그래파이트 시트, 그래핀 시트 또는 비정질 탄소 필름의 형태인 탄소박막으로 구성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 상기 제1 전극으로부터 주입되는 정공이 전달되는 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 형성되고, 상기 정공 주입층으로부터 전달된 정공을 수송하기 위한 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성되고, 전자와 정공의 재결합에 따라 생성된 엑시톤에 의해 광이 생성되는 발광층;상기 발광층 상에 형성되고, 상기 발광층에 전자를 수송하는 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성되고, 상기 전자 수송층에 전자를 전달하기 위한 전자 주입층; 및상기 전자 주입층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층에 전자를 주입하기 위한 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 촉매막 상에 상기 전구체막 및 보호막을 형성하고, 열처리를 통해 상기 전구체막을 상기 탄소박막으로 개질하고 상기 보호막의 동시 제거를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
2 2
콜타르 또는 콜타르 피치가 포함된 전구체막에 대한 열처리를 통해 그래파이트 시트, 그래핀 시트 또는 비정질 탄소 필름의 형태인 탄소박막으로 구성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 정공을 수용하여 상기 제1 전극으로 정공을 전달할 수 있는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 조사된 광에 의해 정공과 전자를 분리시킬 수 있는 헤테로접합층;상기 헤테로접합층에서 발생된 전자를 수용할 수 있는 전자 수용층; 및상기 전자 수용층 상에 형성되고, 상기 전자 수용층으로부터 전자를 전달받는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 촉매막 상에 상기 전구체막 및 보호막을 형성하고, 열처리를 통해 상기 전구체막을 상기 탄소박막으로 개질하고 상기 보호막의 동시 제거를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
3 3
삭제
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리는 불활성 분위기 또는 진공 분위기에서 수행되거나, 수소, 메탄 또는 CF4 가스를 불순물 가스로 도입하여 상기 탄소 박막의 일함수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 전자 소자
5 5
기판 상에 형성되고, 콜타르 또는 콜타르 피치가 포함된 전구체막에 대한 열처리를 통해 그래파이트 시트, 그래핀 시트 또는 비정질 탄소 필름의 형태인 탄소박막으로 구성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 형성되고, 상기 게이트 전극을 중심으로 일측면에 형성된 소스 전극; 및상기 유기 반도체층 상에 형성되고, 상기 소스 전극과 대향하여 형성되는 드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 전극은 촉매막 상에 상기 전구체막 및 보호막을 형성하고, 열처리를 통해 상기 전구체막을 상기 탄소박막으로 개질하고 상기 보호막의 동시 제거를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서, 상기 열처리는 불활성 분위기 또는 전공 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
8 8
제5항에 있어서, 상기 열처리는 수소, 메탄 또는 CF4 가스를 불순물 가스로 도입하여 상기 탄소 박막의 일함수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 전자 소자
9 9
제5항에 있어서, 상기 전구체막 및 상기 촉매막은 패턴화된 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102800774 CN 중국 FAMILY
2 JP05985888 JP 일본 FAMILY
3 JP24246215 JP 일본 FAMILY
4 KR101271951 KR 대한민국 FAMILY
5 US20120301816 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102800774 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102800774 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2012246215 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5985888 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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