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전극 및 이를 포함한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015170157
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 일함수를 가지도록 표면이 개질된 그래펜(graphene) 전극 및 이를 포함한 전자 소자가 제공된다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01)
CPC H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01)
출원번호/일자 1020110050844 (2011.05.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1237351-0000 (2013.02.20)
공개번호/일자 10-2012-0132655 (2012.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.27)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 한태희 대한민국 인천광역시 서구
3 안종현 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 이영빈 대한민국 경기도 평택시 세교공원로 **
5 우성훈 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0400024-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0016849-14
4 등록결정서
Decision to grant
2013.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0052693-50
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0340532-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래펜 함유층(graphene-containing layer); 및상기 그래펜 함유층 상의 경사 일함수층(layer having gradient work function layers);을 포함하고,상기 경사 일함수층은 상기 그래펜 함유층과 접촉하는 제1면 및 상기 제1면에 대향된 제2면을 갖는 단일층(single layer)이고, 상기 경사 일함수층의 일함수는 상기 제1면에서 상기 제2면을 향하는 방향을 따라 점진적으로 증가하는, 전극
2 2
제1항에 있어서,상기 그래펜 함유층 중 그래펜은 복수 개의 탄소 원자들이 서로 공유결합하여 제1방향으로 연장되어 배열되어 있는 폴리시클릭 방향족 분자로 이루어진 시트를 n개(여기서, 상기 n은 1 이상의 정수임) 포함한, 전극
3 3
제2항에 있어서,상기 n이 2 이상이고, n개의 시트는 상기 제1방향에 수직인 제2방향을 따라 적층되어 있는, 전극
4 4
제2항에 있어서,상기 n이 2 내지 10인, 전극
5 5
제1항에 있어서,상기 그래펜 함유층이 p형 도펀트를 더 포함한, 전극
6 6
제5항에 있어서,상기 p형 도펀트가 HNO3, AuCl3, HCl, 니트로메탄(nitromethane), H2SO4, HAuCl4, 2,3-디클로로-5,6-디시아노벤조퀴논(2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone), 산-말단 처리된 저분자(acid-terminated small molecules), 고분자 산(polymeric acid) 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함한, 전극
7 7
제1항에 있어서,상기 경사 일함수층의 제1면의 일함수는 4
8 8
제1항에 있어서,상기 경사 일함수층은 전도성 물질(conductive material) 및 저-표면 에너지 물질(material having low surface energy)을 포함한, 전극
9 9
제8항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은 상기 저-표면 에너지 물질로 이루어진 100nm 두께의 박막이 30 mN/m 이하의 표면 에너지를 갖고, 10-1 내지 10-15 S/cm의 전도도를 갖도록 하는 물질 또는 상기 저-표면 에너지 물질을 포함하는 전도성 고분자 조성물을 이용해 제조된 100 nm 두께의 박막이 30 mN/m 이하의 표면 에너지를 갖고, 10-1 내지 10-7 S/cm의 전도도를 갖도록 하는 물질인, 전극
10 10
제8항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질의 농도가 상기 제1면에서 상기 제2면을 향하는 방향을 따라 점진적으로 증가하는, 전극
11 11
제8항에 있어서,상기 경사 일함수층의 제1면의 일함수가 상기 전도성 물질의 일함수와 동일하고, 상기 경사 일함수층의 제2면의 일함수가 상기 저-표면 에너지 물질의 일함수와 동일한, 전극
12 12
제8항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 적어도 하나의 F를 포함한 물질인, 전극
13 13
제8항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나의 반복 단위를 갖는 불화 고분자인, 전극
14 14
제8항에 있어서,상기 불화 물질은, 하기 화학식 10으로 표시되는 불화 올리고머인, 전극:003c#화학식 10003e#X-Mfn-Mhm-Mar-G상기 화학식 10 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이다
15 15
제8항에 있어서,상기 전도성 물질은 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 및 이들의 조합을 포함한, 전극
16 16
상기 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 전극을 포함한 전자 소자
17 17
제16항에 있어서, 플렉서블(flexible) 특성을 갖는, 전자 소자
18 18
제16항에 있어서, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 메모리 소자 또는 유기 트랜지스터인, 전자 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102800810 CN 중국 FAMILY
2 JP05395209 JP 일본 FAMILY
3 JP24248842 JP 일본 FAMILY
4 US20120298971 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102800810 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102800810 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE102012104496 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 JP2012248842 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5395209 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2012298971 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 교육과학기술부 포항공과대학교산학협력단 일반_기본_개인 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발
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4 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 미래기반기술개발_신기술융합형 대면적으로 패턴된 섬유 형태의 유기발광다이오드 소자의 연구개발