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플라스마 원자층 증착 방법을 이용한 비촉매 코발트 나노 막대의 제조 방법 및 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015170158
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 막대의 제조방법에 관한 것으로, 특히 촉매를 사용하지 않으며 단순한 공정을 통해 금속 나노 막대를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 플라스마 원자층 증착법에 사용되는 반응가스의 조절을 통해 자기 조립 나노 막대를 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에서는 코발트 전구체로 CoCp2를 사용하고, 퍼징가스로 아르곤 가스, 그리고 반응가스로 암모니아와 모노실란의 혼합가스의 플라스마를 사용하여 직경 약 10 nm 내외, 길이 50 ~ 60 nm의 나노 막대를 형성하였다. 자기 조립 나노 막대, 플라스마 원자층 증착 방법, 반응 가스의 조절, 금속 나노 막대
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01) H01L 21/28506(2013.01)
출원번호/일자 1020070100430 (2007.10.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0920456-0000 (2009.09.29)
공개번호/일자 10-2009-0035259 (2009.04.09) 문서열기
공고번호/일자 (20091008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한보람 대한민국 서울 강서구
2 박찬경 대한민국 경북 포항시 남구
3 손종역 대한민국 부산 해운대구
4 김형준 대한민국 경북 포항시 남구
5 구길호 대한민국 충남 서천군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0717092-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0116658-13
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0232176-60
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0232223-18
6 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0391422-84
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
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가열된 반도체 기판상에 코발트 전구체를 투입하여 반도체 기판상에 흡착시키는 단계와, 흡착되지 않은 코발트 전구체를 퍼징하는 단계와, 반응가스 플라스마를 투입하여 코발트 전구체와 반응시켜 코발트로 환원시키는 단계와, 반응되지 않은 반응가스를 퍼징하는 단계로 이루어진 사이클의 반복을 통해 코발트 나노 막대를 제조하는 방법으로, 암모니아와 모노실란(SiH4)의 혼합물의 플라스마를 반응가스로 사용함으로써, 증착 초기 기판에 아일랜드 상으로 핵 생성된 코발트가 상기 반응가스에 의해 선택적으로 성장하여 자기조립 나노 막대를 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 코발트 나노 막대의 제조방법
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제 1 항에 기재된 방법에 의해 제조된 코발트 나노 막대를 포함하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.