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실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장과 양극 산화 알루미늄나노 템플레이트를 이용한 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법 및 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015170164
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 게르마늄 나노점의 제조 방법에 관한 것으로, 높은 정렬도를 갖는 실리콘 게르마늄 나노점을 대면적으로 제조할 수 있는 나노점의 제조방법과 이를 이용한 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법은, (a) 실리콘 기판상에 소정 형상의 나노 구멍이 다수 개 형성되어 있는 나노 템플레이트를 제조하는 단계; (b) 상기 나노 템플레이트 구멍 바닥을 식각하여 저항층을 제거하는 단계; (c) 상기 나노 템플레이트 구멍의 바닥으로부터 실리콘 게르마늄을 선택적으로 에피 성장시키는 단계; 및 (d) 상기 나노 템플레이트를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법은 기존의 자기조립에 의한 실리콘 게르마늄의 나노점 제조 방법에 비해, 크기와 위치, 밀도의 조절이 가능한 장점을 가지며, 이를 이용하여 메모리 소자, 광소자 등의 다양한 분야에 이용할 수 있다. 실리콘 게르마늄, 나노점(點), 선택적 에피 성장, 양극 산화 알루미늄, 대면적 제조, 메모리 소자, 광소자
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02639(2013.01) H01L 21/02639(2013.01) H01L 21/02639(2013.01) H01L 21/02639(2013.01)
출원번호/일자 1020080082299 (2008.08.22)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0023496 (2010.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상준 대한민국 경상남도 남해군
2 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0599107-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0037897-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0329520-86
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0630777-38
6 보정요구서
Request for Amendment
2010.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0089684-37
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.11.01 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0712460-72
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0651213-47
9 보정요구서
Request for Amendment
2010.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0100100-12
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2010.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0107551-97
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0591252-78
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 게르마늄 나노점을 제조하는 방법으로, (a) 실리콘 기판상에 소정 형상의 나노 구멍이 다수 개 형성되어 있는 나노 템플레이트를 제조하는 단계; (b) 상기 나노 템플레이트 구멍 바닥을 식각하여 저항층을 제거하는 단계; (c) 상기 나노 템플레이트 구멍의 바닥으로부터 실리콘 게르마늄을 선택적으로 에피 성장시키는 단계; 및 (d) 상기 나노 템플레이트를 제거하는 단계;를 포함하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 템플레이트는 양극 산화법으로 형성된 산화 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 에피 성장은 화학적 기상 증착 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 에피 성장시 실리콘 게르마늄의 성장 시간을 조절함으로써, 나노점의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노 템플레이트의 구멍의 직경 또는 밀도를 조절함으로써, 실리콘 게르마늄 나노점의 지름과 밀도를 조절하는 것을 특징으로 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 에피 성장시 주입되는 반응가스 중 게르마늄의 농도를 조절함으로써, 실리콘 게르마늄 나노점의 게르마늄 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 화학적 기상 증착 중 염소(Cl2) 가스를 주입하여 나노 템플레이트로부터의 실리콘 게르마늄의 성장을 억제함으로써, 실리콘 게르마늄의 선택적 성장이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
8 8
제 3 항에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄의 증착 온도를 500 ~ 550 ℃로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 방법에 의해 제조된 나노점을 포함하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.