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나노선 전계효과 센서에 있어서,상기 나노선 전계효과 센서를 형성하기 위한 기판;상기 기판의 일측에 반도체 채널층 및 희생층이 반복적으로 상기 기판과 수직 방향으로 한 층 이상 적층되어 형성된 소스전극;상기 기판의 다른 일측에 상기 반도체 채널층 및 상기 희생층이 반복적으로 상기 기판과 수직 방향으로 한 층 이상 적층되어 형성된 드레인전극;상기 소스전극의 상기 반도체 채널층들과 상기 드레인전극의 상기 반도체 채널층들 사이에 상기 기판과 수직 방향으로 적층되어 연결된 형태를 가진 하나 이상의 나노선; 및상기 나노선의 측면에 고정되며, 외부에서 유입되는 대상물질(41)에 선택적으로 반응하는 탐지물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서,적층된 상기 나노선들은 상기 기판과 수직 방향으로 일정 간격 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서,적층된 상기 나노선들은 상기 소스전극에 상기 반도체 채널층 의 일측과 상기 드레인전극에 상기 반도체 채널층의 일측에 직선으로 하나 또는 다수개가 병렬로 연결되며,병렬로 연결된 상기 나노선들은 두 층 이상 반복되는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서,상기 나노선의 모든 측면은 상기 탐지물질과 상기 대상물질 간의 선택적인 반응이 진행되는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서,상기 기판 상부에 수중게이트 전극을 추가하여 이용하거나 또는 상기 기판을 게이트 전극으로 이용하여 상기 나노선의 전도도를 제어하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 5항에 있어서,상기 수중게이트 전극은 상기 대상물질이 포함된 용액에 직접 전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서,상기 기판을 이용한 게이트 전극과 상기 기판 상부의 수중 게이트 전극을 동시에 이용하여 나노선의 전도도를 제어하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 폴리머 또는 부도체를 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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제 1항에 있어서, 상기 희생층은 상기 반도체 채널층과 선택적 식각이 가능한 절연막 및 반도체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서
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기판의 상부에 번갈아가며 다층으로 희생층(Sacrificial layer)과 반도체 채널층을 형성하는 다층 형성 단계;리소그래피 공정을 이용하여 상기 반도체 채널층의 일측에 전극 패턴 및 직선 하나 또는 직선 여러 개가 병렬로 연결된 형태의 나노선의 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계;식각 공정을 통해 상기 나노선의 지지층 및 상기 희생층을 제거하는 제거 단계;소스 전극 및 드레인 전극에 이온을 주입하는 주입 단계;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 나노선의 외부에 게이트 절연층을 형성하는 제1 절연층 형성 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 일측에 금속전극을 형성하는 전극 형성 단계;
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제 10항에 있어서, 상기 제거 단계는상기 나노선의 하부는 상기 기판과 이격되어 있고, 적층된 상기 나노선은 상호간에 이격되어 있으며, 유체가 상기 나노선을 감쌀 수 있는 구조로 상기 하부 지지층 및 상기 희생층을 제거하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 제거 단계는상기 나노선의 상기 희생층에 선택적 식각이 가능한 습식 식각 공정 및 건식 식각 공정을 시행하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 고정단계는상기 대상물질의 전기화학적 특성에 맞추어 상기 나노선의 상기 채널, 소스전극 및 드레인전극을 n형 또는 P형 중 어느 하나로 도핑하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 전극 형성 단계는상기 희생층이 산화막 또는 질화막과 같이 절연층인 경우 금속 via를 형성하는 것을 포함하는 3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서의 제조방법
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