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기판의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170184
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저비용으로 패터닝된 금속층에 선택적으로 나노 딤플을 형성할 수 있어 전자소자용 기판의 제조비용을 크게 절감할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 방법은, (a) 기판에 금속층을 형성하는 단계; (b) 상기 금속층 상에 소정의 패턴이 형성된 마스크 층을 형성하는 단계; (c) 상기 기판을 산 용액에 침지하고 전압을 인가하여, 노출된 금속층에 자가정렬 나노 홀을 갖는 금속 산화물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 금속 산화물을 식각하여 제거함으로써, 상기 금속층에 나노 딤플이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01) H01L 21/32139(2013.01)
출원번호/일자 1020110071331 (2011.07.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1243635-0000 (2013.03.08)
공개번호/일자 10-2013-0010603 (2013.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.19)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유철종 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 손준호 대한민국 경상북도 경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0554524-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038579-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0632411-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0899947-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0899946-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0124316-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판에 금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 금속층 상에 소정의 패턴이 형성된 마스크 층을 형성하는 단계;(c) 상기 기판을 산 용액에 침지하고 전압을 인가하여, 노출된 금속층에 자가정렬 나노 홀을 갖는 금속 산화물을 형성하는 단계; 및(d) 상기 금속 산화물을 식각하여 제거함으로써, 상기 금속층에 나노 딤플이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계 전에 상기 마스크층을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
3 3
(a) 기판에 소정 패턴의 금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 금속층 중 기판이 노출된 부분에 절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 기판을 산 용액에 침지하고 전압을 인가하여, 노출된 금속층에 자가정렬 나노 홀을 갖는 금속 산화물을 형성하는 단계;(d) 상기 금속 산화물을 식각하여 제거함으로써, 상기 금속층에 나노 딤플이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
4 4
(a) 기판에 소정 패턴의 절연층을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 중 기판이 노출된 부분에 금속층을 형성하는 단계;(c) 상기 기판을 산 용액에 침지하고 전압을 인가하여, 노출된 금속층에 자가정렬 나노 홀을 갖는 금속 산화물을 형성하는 단계;(d) 상기 금속 산화물을 식각하여 제거함으로써, 상기 금속층에 나노 딤플이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은 Al, Ti, Ta, Mg, Nb, Hf, Zn 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 층은 포토리소그라피법 또는 나노임프린트법 중의 하나 이상을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 마스크 층은 티타늄 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 포토레지스트, 폴리이미드, PDMS, PMMA, 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지 중 선택된 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 소정 패턴의 금속층은, 포토리소그라피법 또는 나노임프린트법으로 기판상에 마스크층을 형성하고, 그 위에 열증착법 또는 스퍼터링법으로 금속층을 증착한 후 리프트오프(lift-off) 과정을 거쳐 상기 마스크층을 제거함으로써, 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
9 9
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 산 용액은, 황산, 옥살산, 인산 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 산 용액의 농도 조절을 통해 형성되는 나노 홀의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
10 10
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 20V~200V 범위 내에서 인가전압을 조절하여 형성되는 나노 홀의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
11 11
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 전도성 기판인 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 전도성 기판은, 반도체, ITO, AZO, GZO, 스테인리스 강판 또는 인바 강판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
13 13
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 절연층은 금속 산화물, 금속 질화물, 포토레지스트
14 14
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 기판의 나노 딤플 상에 전자소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 전자소자는 유기발광다이오드, 액정표시장치, 전기영동장치, 플라스마 디스플레이패널, 박막 트랜지스터, 마이크로프로세서, 램, 유기 태양전지 및 박막 태양전지 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
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1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발