맞춤기술찾기
이전대상기술
내부식성 모기판을 이용한 플렉서블 금속 기판과 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 금속 기판
- 기술번호 : KST2015170187
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 플렉서블 금속 기판의 제조방법 등에 관한 것이다.본 발명에 따른 플렉서블 금속 기판의 제조방법은 도전성이 있는 음극인 모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 전기 도금 방식으로 형성하는 플렉서블 금속 기판 형성단계 및 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 플렉서블 금속 기판 분리단계를 포함하여 구성되고, 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면은 전자소자 형성면으로 이용되고, 상기 모기판은 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖고 있으며, 상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 모기판 면의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms003c#100㎚, 0003c#Rp-v003c#1000㎚로 조절되는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | H05K 1/05 (2006.01) G02F 1/1333 (2006.01) G02F 1/167 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110089323 (2011.09.04) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1476746-0000 (2014.12.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0026007 (2013.03.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141229) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.09.04) |
| 심사청구항수 | 29 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 김기수 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 3 | 김성준 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 4 | 이일환 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 5 | 구본형 | 대한민국 | 경기도 안양시 동안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.09.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0689923-14 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0030638-16 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.12.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0747119-42 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0117143-72 |
| 6 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0018787-03 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0147357-83 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0201747-32 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0304614-17 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0304605-06 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0558795-32 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0911606-12 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.11.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1027139-89 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.11.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1027140-25 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 17 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2014.03.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0171134-08 |
| 18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0245971-18 |
| 19 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2014.03.14 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-0245970-62 |
| 20 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0234168-50 |
| 21 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.06.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0520574-13 |
| 22 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.07.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0624339-17 |
| 23 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0624340-53 |
| 24 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2014.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0809618-25 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 26 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 27 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 도전성이 있는 음극인 모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 전기 도금 방식으로 형성하는 플렉서블 금속 기판 형성단계; 및상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시켜 플렉서블 금속 기판의 분리면에 모기판의 표면 거칠기를 전사하는 플렉서블 금속 기판 분리단계를 포함하고,상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면은 전자소자 형성면으로 이용되고,상기 모기판은 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖고 있으며,상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 모기판 면의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛ × 10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0 003c# Rp-v 003c# 1000 ㎚( 여기서, Rms(Root mean squared)는 측정된 n개의 거칠기 프로파일의 높이를 갖고 있을 때 n개의 평균 높이를 기준으로 i번째 높이를 yi 라고 할 때 로 정의되고, Rp-v는 가장 낮은 높이를 (Maximum valley depth) 로 정의하고, 가장 높은 높이를 (Maxium peak height) 로 정의할 때, 가장 높은 높이와 가장 낮은 높이의 차 (Maximum height of the profile) 즉, 로 정의됨)로 조절되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 Ni, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 Ti 또는 Ti 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 시트 박판 또는 스트립 박판 또는 롤 형상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 상기 플렉서블 기판으로부터 분리된 후 상기 표면 거칠기가 유지되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 모기판은 상기 플렉서블 기판으로부터 분리된 후 반복적 연마 또는 성막 없이도 상기 플렉서블 금속 기판 형성단계에서 재사용 할 수 있는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판의 분리를 위해 유기화합물 이형제 성분이 포함된 도금 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판 형성단계 이후 상기 플렉서블 금속 기판 분리단계 이전에, 일면에 접착층이 형성된 임시기판을 상기 접착층을 이용하여 상기 플렉서블 금속 기판 상에 부착하는 임시기판 부착단계; 및상기 플렉서블 금속 기판 분리단계 이후에, 상기 임시기판을 상기 플렉서블 금속 기판으로부터 분리하는 임시기판 분리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 접착층은 에폭시, 실리콘 및 아크릴 계열의 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 10 |
10 제 8 항에 있어서,상기 접착층은 SiO2, MgO, ZrO2, Al2O3, Ni, Al 및 운모로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하며 사용온도가 450 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판과 상기 모기판 사이의 계면결합력이 상기 플렉서블 금속 기판의 항복강도보다 작게 되도록 조절하고, 상기 플렉서블 금속 기판 분리단계에서, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판의 두께는 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 14 |
14 제 8 항에 있어서,상기 임시 기판을 포함하는 플렉서블 금속 기판의 두께가 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 태양전지(solar cell), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 도전성이 있는 음극인 모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 전기 도금 방식으로 형성하는 플렉서블 금속 기판 형성단계; 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시켜 플렉서블 금속 기판의 분리면에 모기판의 표면 거칠기를 전사하는 플렉서블 금속 기판 분리단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 전자소자 형성단계를 포함하고,상기 모기판은 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖고 있으며,상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 모기판 면의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛×10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0 003c# Rp-v 003c# 1000 ㎚( 여기서, Rms(Root mean squared)는 측정된 n개의 거칠기 프로파일의 높이를 갖고 있을 때 n개의 평균 높이를 기준으로 i번째 높이를 yi 라고 할 때 로 정의되고, Rp-v는 가장 낮은 높이를 (Maximum valley depth) 로 정의하고, 가장 높은 높이를 (Maxium peak height) 로 정의할 때, 가장 높은 높이와 가장 낮은 높이의 차 (Maximum height of the profile) 즉, 로 정의됨)로 조절되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서,상기 모기판은 Ni, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 19 |
19 제 17 항에 있어서,상기 모기판은 Ti 또는 Ti 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 20 |
20 제 17 항에 있어서,상기 모기판은 상기 플렉서블 기판으로부터 분리된 후 상기 표면 거칠기가 유지되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 21 |
21 제 17 항에 있어서,상기 모기판은 상기 플렉서블 기판으로부터 분리된 후 반복적 연마 없이도 상기 플렉서블 금속 기판 형성단계에서 재사용 할 수 있는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 22 |
22 제 17 항에 있어서,상기 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판의 분리를 위해 유기화합물 또는 유기금속화합물 이형제 성분이 포함된 도금 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 23 |
23 제 17 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판 형성단계 이후 상기 플렉서블 금속 기판 분리단계 이전에, 일면에 접착층이 형성된 임시기판을 상기 접착층을 이용하여 상기 플렉서블 금속 기판 상에 부착하는 임시기판 부착단계; 및상기 플렉서블 금속 기판 분리단계 이후에, 상기 임시기판을 상기 플렉서블 금속 기판으로부터 분리하는 임시기판 분리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서,상기 접착층은 에폭시, 실리콘 및 아크릴 계열로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 25 |
25 제 23 항에 있어서,상기 접착층은 SiO2, MgO, ZrO2, Al2O3, Ni, Al 및 운모로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하며 사용온도가 450 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 26 |
26 제 17 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판과 상기 모기판 사이의 계면결합력이 상기 플렉서블 금속 기판의 항복강도보다 작게 되도록 조절하고, 상기 플렉서블 금속 기판 분리단계에서, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 27 |
27 제 17 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In |
| 28 |
28 제 17 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판의 두께는 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 29 |
29 제 23 항에 있어서,상기 임시 기판을 포함하는 플렉서블 금속 기판의 두께가 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 30 |
30 제 17 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 태양전지(solar cell), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 31 |
31 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식 경제부 | 한국화학연구원 | 21세기 프로티어사업 | 대면적 Flexible Display를 위한 Laser Lift-off |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1476746-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110904 출원 번호 : 1020110089323 공고 연월일 : 20141229 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141126 청구범위의 항수 : 29 유별 : H01L 51/50 발명의 명칭 : 내부식성 모기판을 이용한 플렉서블 금속 기판과 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 금속 기판 존속기간(예정)만료일 : 20171220 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 588,000 원 | 2014년 12월 22일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.09.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0689923-14 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0030638-16 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.12.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0747119-42 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0117143-72 |
| 6 | 보정요구서 | 2013.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0018787-03 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0147357-83 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0201747-32 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0304614-17 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0304605-06 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 12 | 의견제출통지서 | 2013.08.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0558795-32 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0911606-12 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.11.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1027139-89 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.11.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-1027140-25 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 17 | 거절결정서 | 2014.03.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0171134-08 |
| 18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0245971-18 |
| 19 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2014.03.14 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-0245970-62 |
| 20 | 의견제출통지서 | 2014.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0234168-50 |
| 21 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.06.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0520574-13 |
| 22 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.07.02 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0624339-17 |
| 23 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.07.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0624340-53 |
| 24 | 등록결정서 | 2014.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0809618-25 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 26 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 27 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415118318 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004090-2011-34 |
| 연구과제명 | 대면적 flexible display를 위한 laser lift-off 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200806~201205 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020110089325] | 내부 응력이 조절된 플렉서블 금속 기판과 전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020110089324] | 보호층이 있는 모기판을 이용한 플렉서블 금속 기판과 플렉서블 전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110089323] | 내부식성 모기판을 이용한 플렉서블 금속 기판과 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 금속 기판 | 새창보기 |
| [1020100067533] | 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 | 새창보기 |
| [1020100042223] | 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 | 새창보기 |
| [1020080127092] | 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2015170131][포항공과대학교 산학협력단] | 탄소 박막을 포함한 전자 소자 및 탄소 박막을 포함한 전기화학 소자 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2016008062][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 착화합물 및 이를 포함하는 그래핀-금속 착화합물 복합체(METALLIC COMPLEX AND GRAPHENE-METALLIC COMPLEX HYBRID INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2016018907][포항공과대학교 산학협력단] | 퀜처 제거를 통한 엑시톤 소멸 방지 공정을 이용한 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 및 이의 제조방법(Composition-controlled organic/inorganic hybrid perovskite light-emitting diodes and manufacturing method thereof) | 새창보기 |
| [KST2015169550][포항공과대학교 산학협력단] | 반사기판을 포함하는 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [KST2015169973][포항공과대학교 산학협력단] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [KST2016006538][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법(ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
| [KST2016010296][포항공과대학교 산학협력단] | 페로브스카이트 발광소자용 발광층 및 이의 제조방법과 이를 이용한 페로브스카이트 발광소자(Perovskite light emitting element for the light emitting layer and a method of manufacturing and using the same Perovskite light emitting element) | 새창보기 |
| [KST2015169513][포항공과대학교 산학협력단] | 단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014055872][포항공과대학교 산학협력단] | 유기발광다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015169777][포항공과대학교 산학협력단] | 신규 유기 붕소 화합물 및 이의 용도 | 새창보기 |
| [KST2014055851][포항공과대학교 산학협력단] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막 및 이를 포함한 유기 발광소자 | 새창보기 |
| [KST2015170232][포항공과대학교 산학협력단] | 가요성 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014042766][포항공과대학교 산학협력단] | 표면처리된 잉크젯 프린트용 기판 | 새창보기 |
| [KST2022021708][포항공과대학교 산학협력단] | 패턴화된 유기 반도체 적층체, 그를 포함하는 유기 전자 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014064006][포항공과대학교 산학협력단] | 역구조 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015169621][포항공과대학교 산학협력단] | 높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2016010297][포항공과대학교 산학협력단] | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법(Perovskite light emitting device including exciton buffer layer and manufacturing method thereof) | 새창보기 |
| [KST2014055850][포항공과대학교 산학협력단] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2019024885][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2019034554][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기 조절방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015169417][포항공과대학교 산학협력단] | 펜타신 결정형 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2022021688][포항공과대학교 산학협력단] | 중간층 및 이를 포함하는 전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015169549][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014042898][포항공과대학교 산학협력단] | 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2016008933][포항공과대학교 산학협력단] | 싸이오펜 중합체 조성물, 및 이를 포함하는 유기광전자소자(POLYTHIOPHENE COMPOSITION, AND ORGANIC PHOTOELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2019034555][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015170244][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 전계 발광 소자 | 새창보기 |
| [KST2015169612][포항공과대학교 산학협력단] | 하부 기판에 형성된 상부 보조전극을 포함한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015169446][포항공과대학교 산학협력단] | 형광체 담지용 유리 조성물, 이를 포함하는 세라믹 색변환 부재 및 백색 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [KST2019034539][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|