맞춤기술찾기

이전대상기술

삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170210
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 삼차원 나뭇가지 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법은 (a) 실리콘 웨이퍼 기판 위에 질화물갈륨계 발광 다이오드 에픽 박막을 성장시키는 단계; (b)에피 박막을 떼어내는 과정을 거쳐 발광 다이오드를 완성하는 단계; (c) 발광 다이오드의 상부 전극에 ZnO 나노선 성장 방지를 위해 포토레지스트로 막을 형성시키는 단계; 및 (d) ZnO 나노선 성장 방지를 위한 포토레지스트로 막이 형성된, 발광 다이오드 소자 표면에 이종접합체 나노선 구조를 형성시키키는 단계;를 포함하여 발광 다이오드의 광 추출효유을 향상기키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020140011105 (2014.01.29)
출원인 울산과학기술원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1614094-0000 (2016.04.14)
공개번호/일자 10-2015-0090939 (2015.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.29)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백정민 대한민국 울산광역시 울주군
2 예병욱 대한민국 대전광역시 대덕구
3 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김범준 대한민국 경기 고양시 일산동구
5 박재용 대한민국 경기 고양시 일산동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0096348-21
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0018460-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0216535-45
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062728-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0891090-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0176806-20
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0176807-76
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0453122-21
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0867842-83
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0867846-65
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
14 등록결정서
Decision to grant
2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0030607-43
15 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0129655-76
16 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0188157-67
17 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0029366-56
18 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0033757-44
19 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.04.14 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0357507-64
20 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0366016-69
21 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0372818-55
22 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0057344-53
23 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0060558-98
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
(a) 실리콘 웨이퍼 기판 위에 질화물갈륨계 발광 다이오드 에피 박막을 성장시키는 단계;(b) 상기 에피 박막을 떼어내는 레이저 리프트 오프 과정을 거쳐 발광 다이오드를 완성하는 단계;(c) 상기 발광 다이오드의 상단에 형성된 상부 전극에 ZnO 나노선 성장 방지를 위해 포토레지스트로 막을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 ZnO 나노선 성장 방지를 위한 포토레지스트로 막이 형성된, 상기 발광 다이오드 소자에 형성된 상기 포토레지스트로 막 표면에 ZnO/MgO 이종접합체 나노선 구조를 형성시키키는 단계;를 포함하되,상기 (d)단계는 (d-1) 상기 포토레지스트로 막이 형성된, 상기 발광 다이오드 소자를 오토클레이브에 투입하고 산화아연 형성용 수용액을 사용하여 수열합성법을 통해 에피박막 표면에 산화아연으로 이루어진 나노 구조물을 형성하는 단계; 및(d-2) 상기 `(d-1)`단계에서 형성된 나노 구조물에 MgO 나노선을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 (d-1)단계는(d-1-1) 탈 이온수에 질산아연 분말, 헥사메틸렌테트라아민 분말을 용해하여 시편이 설치된 고온반응용기에 넣는 단계;(d-1-2) 상기 질산아연 분말과 헥사메틸렌테트라아민 분말이 용해된 반응용액을 이온 활성화되도록 3시간동안 90℃로 가열하는 단계; 및(d-1-3) 상기 고온반응용기에서 상기 시편을 제거하여 더 이상 반응이 진행되지 않도록 탈 이온수에 헹구는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 2항에 있어서, 상기 (d-2) 단계에서 나노 구조물에 전자선 증착법에 의해 MgO 나노선이 증착되는 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 `(d-2)`단계에서, 상기 MgO 나노선을 500nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
6 6
제 2항에 있어서, 상기 오토클레이브의 산화아연 합성온도는 60℃~200℃인 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
7 7
제 2항에 있어서, 상기 산화아연 형성용 수용액은 아연염과 헥사메틸렌테트라아민로 구성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 아연염과 헥사메틸렌테트라아민의 몰 비율은 2:1~1:2인 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 아연염과 헥사메틸렌테트라아민 수용액의 몰 농도는 0
10 10
제 4항에 있어서, 상기 수열합성법 또는 전자선 증착법이 가능한 물질은 ZnO, MgO, TiO2 중 어느 하나로 상기 수열합성법 증착이 가능하고, TiO2, WO3, SiO2, ITO 중 어느 하나로 상기 전자선 증착법이 가능한 것을 특징으로 하는 삼차원 나노브렌치 형태의 이종접합체 구조를 갖는 발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(RCMS) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발