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기판;상기 기판 상에 2차원 전자계를 형성하는 이종접합 구조체;상기 이종접합 구조체의 일부 영역 상에 위치하고, 길이 방향에 평행 및 반평행하게 자화되기 쉬운 이방성 강자성층; 및 상기 이종접합 구조체 상에 상기 강자성층과 이격되어 위치하되, 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에서 서로 분리되어, 게이트전압이 인가됨에 따라 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에 상기 이차원 전자계의 채널영역을 한정하는 제1게이트 전극들을 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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청구항 1에 있어서,상기 강자성층 및 상기 게이트 전극들과 이격되어 상기 강자성층의 양 측에 위치하되, 상기 강자성층의 다른 부분 보다 상기 일 단부에서 상기 강자성층에 더 가깝게 위치하여, 게이트 전압이 인가됨에 따라 상기 이차원 전자계의 전류흐름을 상기 강자성층의 일 단부 아래에 집중시키는 제2게이트 전극들을 더 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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청구항 2에 있어서,상기 제1게이트 전극들과 채널영역에 의해 드레인측 영역이 한정되고, 상기 제2게이트 전극들과 상기 전류 집중 영역에 의해 소오스측 영역이 한정되며, 상기 소오스측 영역과 드레인측 영역 사이에 홀 전압 센싱 영역이 위치하는 것을 특징으로 하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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청구항 3에 있어서,상기 강자성층의 길이 방향을 따라 대향하는 상기 2차원 전자계의 양 단부에 오믹접합된 소오스/드레인 전극; 및상기 홀 전압 센싱 영역의 양 단부에 오믹접합된 홀 전압 센싱 전극들을 더 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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청구항 1에 있어서,상기 이종접합 구조체는갈륨 비소와 알루미늄 갈륨 비소의 이종접합을 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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청구항 5에 있어서,상기 이종접합 구조체는 상기 이종접합 상에 위치하는 N형 알루미늄 갈륨 비소 및 갈륨비소 캐핑층을 더 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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청구항 1에 있어서,상기 강자성층은 CoFe인 것을 특징으로 하는 게이트 제어 홀 효과 소자
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기판 상에 버퍼층을 형성하고,상기 버퍼층 상에 2차원 전자계를 가지며, 측면에서 2차원 전자계의 가장자리를 노출시키는 이종접합 구조체를 형성하고,상기 이종접합 구조체 상에 강자성층 및 서로 이격된 제1게이트 전극들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제1게이트 전극들은 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에서 이격되어 게이트전압이 인가됨에 따라 상기 이차원 전자계의 채널영역을 한정하는 게이트 제어 홀 효과 소자 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 제1게이트 전극들을 형성하는 동안, 상기 강자성층과 이격되어 상기 강자성층의 양측에 위치하는 제2게이트 전극들을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 제2게이트 전극들은 상기 강자성층의 다른 부분보다 상기 일 단부에서 상기 강자성층에 더 가깝게 형성되어 게이트전압이 인가됨에 따라 상기 이차원전자계의 전류흐름을 상기 강자성층의 일 단부 아래에 집중시키는 게이트 제어 홀 효과 소자 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 제1게이트 전극들 및 상기 제2게이트 전극들은 각각 상기 이종접합 구조체 상에서 외부로 연장되어, 게이트 전압이 인가됨에 따라 상기 2차원 전자계를 소오스측 영역, 드레인측 영역 및 홀 전압 센싱 영역으로 분할하는 게이트 제어 홀 효과 소자 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 이종접합 구조체를 형성하는 것은상기 버퍼층 상에 2차원 전자계를 형성하도록 갈륨비소 및 알루미늄 갈륨비소를 차례로 형성하고,상기 알루미늄 갈륨비소 및 상기 갈륨비소의 적어도 일부를 패터닝하여 상기 이차원 전자계가 측면에 노출된 이종접합 구조체를 형성하는 것을 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 이종접합 구조체를 형성하는 것은상기 알루미늄 갈륨비소 상에 N형 알루미늄 갈륨비소 및 갈륨비소 캐핑층을 형성하는 것을 더 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 이종접합 구조체를 형성한 후, 상기 2차원 전자계에 오믹접합된 소오스/드레인 전극 및 홀 전압 센싱 전극들을 형성하는 것을 더 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자 제조방법
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