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발광 소자에 있어서,상기 발광 소자 위에 다수개의 나노 막대가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 막대는산화물, 질화물, 카바이드, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물, 실리콘, 다이아몬드, 카본, IV족 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 산화물은ZnO, In2O3, CdO, MgO, SiO2, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 질화물은 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 카바이드는SiC를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물은GaAs, GaP, InP, GaInP, AlGaAs 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 나노 막대는Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb, C 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 막대는직경이 5nm 내지 20um이고, 길이가 30nm 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 막대는표면에 이종 물질이 겹겹이 쌓여 만들어진 다중벽 구조의 나노 막대, 이종 물질이 층층이 쌓여 있는 이종접합구조의 나노 막대, 나노 튜브 형태의 나노 막대 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 9 항에 있어서, 상기 발광 소자는상기 나노 막대 사이에 상기 발광 소자와 굴절률이 다른 폴리머 또는 형광체가 채워진 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 9 항에 있어서, 상기 발광 소자는반도체 발광 소자, 엘이디(LED), 유기물 발광 소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 11 항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는AlGaInN계열, AlGaInAs계열, AlGaInP계열 중 어느 하나의 계열로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자
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발광 소자를 제조하는 방법에 있어서,상기 발광 소자에 소정의 반응 전구체들을 반응시켜 발광 소자 위에 다수의 나노 막대를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 막대는산화물, 질화물, 카바이드, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물, 실리콘, 다이아몬드, 카본, IV족 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 산화물은ZnO, In2O3, CdO, MgO, SiO2, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 질화물은 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 카바이드는SiC를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물은GaAs, GaP, InP, GaInP, AlGaAs 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 나노 막대는Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb, C 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 막대는직경이 5nm 내지 20um이고, 길이가 30nm 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 막대는표면에 이종 물질이 겹겹이 쌓여 만들어진 다중벽 구조의 나노 막대, 이종 물질이 층층이 쌓여 있는 이종접합구조의 나노 막대, 나노 튜브 형태의 나노 막대 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 발광 소자는상기 나노 막대 사이에 상기 발광 소자와 굴절률이 다른 폴리머 또는 형광체가 채워진 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 21 항에 있어서, 상기 발광 소자는반도체 발광 소자, 엘이디(LED), 유기물 발광 소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는AlGaInN계열, AlGaInAs계열, AlGaInP계열 중 어느 하나의 계열로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 막대 형성 단계는화학증착법(CVD), 스퍼터링 (sputtering), 열 또는 전자빔 증발법(thermal or electron beam evaporation), 펄스레이저 증착법(pulse laser deposition), 기상 이송법(vapor-phase transport process), 화학적 용액 방법(Chemical solution process) 및 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD) 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법
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