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광추출층 표면에 상기 광추출층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 산화막을 증착하는 단계;상기 산화막 상에 나노 구조체를 도포하는 단계; 및상기 나노 구조체를 식각하여 상기 산화막의 표면에 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 패턴 형성 단계에서 상기 나노 구조체는 건식 식각 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 광추출층은 기판, p형 질화갈륨계 물질 또는 n형 질화갈륨계 물질인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 기판은 유리, PET, PES, 폴리이미드(poly-imid), SU-8, PDMS, 또는 폴리카보네이트(poly-carbonate)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화막은 ITO, IGO, IZO, ZnOx, ZrOx, WOx, MgOx, AlOx, SiOx, GaOx, VOx, 및 TiOx로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 산화막은 전자선 증착법, 스퍼터 증착법, 또는 열 증착법을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 산화막의 한 층의 두께는 10Å ~ 10000Å인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 구조체는 구 형상으로서, 직경이 100nm 내지 3㎛ 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 구조체는 폴리스티렌(Polystyrene), 폴리에틸렌(Polyethylene), SiO2 또는 유리(Glass) 계열의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 나노 구조체의 구 형상의 직경은 둘 이상으로 구분되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 나노 구조체가 폴리스티렌 또는 폴리에틸렌 계열의 물질로 이루어진 경우, 플라즈마를 이용하여 상기 나노 구조체의 크기 또는 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 패턴의 형성 이전에 상기 산화막을 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 나노 패턴은 반구 또는 원뿔 형상의 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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14
청구항 13에 있어서, 상기 반구 또는 원뿔 형상의 나노 패턴을 갖는 산화막 표면에 나노선 또는 나노막대를 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 발광 다이오드는 수직형 구조를 갖는 질화갈륨계 발광 다이오드이며, 상기 나노 패턴의 형성시 건식 식각 방법을 이용하여 상기 산화막의 일부 및 n형 질화갈륨의 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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16
청구항 3에 있어서, 상기 발광 다이오드는 수평형 구조를 갖는 질화갈륨계 발광 다이오드이며, p형 질화갈륨 위에 전도성 투명 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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청구항 16에 있어서, 상기 p형 질화갈륨 위의 전도성 투명 산화막은 전류 확산을 위해 전기적으로 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 패턴 형성 방법
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